[发明专利]一种HCVD用氯硅烷汽化器在审
| 申请号: | 202210572262.X | 申请日: | 2022-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN114857981A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
| 发明(设计)人: | 朱建中;鞠德胜;万荣群 | 申请(专利权)人: | 无锡海飞凌半导体材料有限公司 |
| 主分类号: | F28D21/00 | 分类号: | F28D21/00 |
| 代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 曹祥波 |
| 地址: | 214200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 hcvd 硅烷 汽化器 | ||
1.一种HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,包括:汽化罐,设置于所述汽化罐外部的加热马夹,设置于所述汽化罐内的石墨发热体以及设置所述汽化罐顶部的雾化喷射器;其中,所述汽化罐的侧壁上还设有混合气出口和正极法兰组件和负极法兰组件,所述雾化喷射器用于将待汽化的气体喷射至所述石墨发热体,所述正极法兰组件和所述负极法兰组件均电连接于所述加热马夹和所述石墨发热体,用于外接电源。
2.根据权利要求1所述的HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,所述石墨发热体包括:发热体本体,连接于所述发热体本体外壁的若干导热片,所述发热体本体内还设有贯穿的通孔。
3.根据权利要求2所述的HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,所述发热体本体为管状体,所述导热片沿所述管状体的侧壁轴向延伸,所述管状体上还设有上连接孔和下连接孔。
4.根据权利要求3所述的HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,所述汽化罐的顶端还设有顶端法兰,所述雾化喷射器连接于所述顶端法兰,所述雾化喷射器上设有第一进气管道和第二进气管道,所述第一进气管道用于输送氢气,所述第二进气管道用于输送甲基三氯硅烷。
5.根据权利要求4所述的HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,所述正极法兰组件包括:正极法兰盘,穿设于所述正极法兰盘的正极铜管,穿设于所述正极铜管内的正极石墨电极;其中,所述正极铜管上还套设有一绝缘垫圈,所述绝缘垫圈用于在所述正极铜管与所述正极法兰盘之间绝缘。
6.根据权利要求5所述的HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,所述汽化罐上还设有一正极法兰,所述正极法兰盘连接于所述正极法兰,且所述正极法兰与所述正极法兰盘之间还设有密封垫圈,所述正极石墨电极一端电连接于所述正极铜管,另一端电连接于所述石墨发热体。
7.根据权利要求4所述的HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,所述负极法兰组件包括:负极法兰盘,穿设于所述负极法兰盘的负极铜管,穿设于所述负极铜管的负极石墨电极;其中,所述负极铜管上还套设有一绝缘垫圈,所述绝缘垫圈用于在所述负极铜管与负极法兰盘之间绝缘。
8.根据权利要求7所述的HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,所述汽化罐上还设有负极法兰,所述负极法兰盘连接于所述负极法兰,且所述负极法兰与所述负极法兰盘之间还设有密封垫圈,所述负极石墨电极的一端电连接于所述石墨发热体,另一端电连接于所述负极铜管。
9.根据权利要求4所述的HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,所述汽化罐的顶端还设有一法兰,所述顶端法兰连接于所述法兰,且所述法兰与所述顶端法兰之间还设有一密封垫。
10.根据权利要求1所述的HCVD用氯硅烷汽化器,其特征在于,所述石墨发热体的底端还设有垫块,所述垫块连接于所述汽化罐的底部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡海飞凌半导体材料有限公司,未经无锡海飞凌半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210572262.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种线路连接结构
- 下一篇:一种旋转变压器的线圈绕制方法





