[发明专利]一种“S”型贴壁填充的连续路径生成方法有效
| 申请号: | 202210518164.8 | 申请日: | 2022-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN115056490B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
| 发明(设计)人: | 孙扬帆;刘博;薛勇;沈洪垚 | 申请(专利权)人: | 浙江大学高端装备研究院 |
| 主分类号: | B29C64/393 | 分类号: | B29C64/393;B29C64/227;B33Y30/00;B33Y50/00;B33Y50/02 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 贾玉霞 |
| 地址: | 311106 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 型贴壁 填充 连续 路径 生成 方法 | ||
1.一种“S”型贴壁填充的连续路径生成方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:将STL模型输入切片软件,得到模型的切片轮廓文件;
步骤二:计算模型的包络盒AABB3D,设定壁厚S、壁走线次数N、填充密度D;
步骤三:指定两个提升点LPT1(x1,y1)与LPT2(x2,y2),分别生成裁剪线段Cseg1与Cseg2;
步骤四:生成剪裁矩形系列Frect,每个剪裁矩形的四个顶点按指定顺序排列;
步骤五:对每一层轮廓,分别获得外壁的连续打印路径以及内壁“S”型填充路径,并将外壁与内壁路径合并;
其中,对于偶数层轮廓:
所述外壁的连续打印路径的执行步骤如下:
(1)对该轮廓进行偏置运算,获得偏置路径Spaths,并统一轮廓方向;
(2)将偏置路径Spaths中的每个轮廓与裁剪线段Cseg1求交,得到与交线的交点,并将与提升点LPT1最近的交点作为轮廓的起始点Pstart,进行轮廓的数据点重新排序;
(3)遍历偏置路径Spaths,将第i个轮廓的终点与第i+1个轮廓的起点进行首尾的线段连接,获得外壁的连续打印路径;
所述内壁“S”型填充路径的执行步骤如下:
(1)将原始轮廓按照偏置距离(N+1)×S进行偏置,将剪裁矩形系列Frect与偏置后的轮廓求交,得到多个裁剪轮廓;
(2)调整轮廓方向,使之与对应剪裁矩形方向相同;
(3)对于每个裁剪轮廓,计算轮廓中与对应剪裁矩形中第1点最近的点作为裁剪轮廓起点;计算轮廓中与对应剪裁矩形中第3点最近的点作为轮廓终点;
(4)将调整后的裁剪轮廓按顺序连接,获得“S”型贴壁填充路径;
其中,对于奇数层轮廓:
所述外壁的连续打印路径的执行步骤如下:
(1)对该轮廓进行偏置运算,获得偏置路径Spaths,并统一轮廓方向;
(2)将偏置路径Spaths中的每个轮廓与裁剪线段Cseg2求交,得到与交线的交点,并将与提升点LPT2最近的交点作为轮廓的起始点Pstart,进行轮廓的数据点重新排序;
(3)遍历偏置路径Spaths,将第i个轮廓的终点与第i+1个轮廓的起点进行首尾的线段连接,获得外壁的连续打印路径;
所述内壁“S”型填充路径的执行步骤如下:按照偶数层轮廓内壁“S”型填充方法获得贴壁填充路径,将该路径取反,获得反向的“S”型填充路径作为奇数层填充路径;
步骤六:遍历每一层轮廓,连接第i层轮廓终点与第i+1层轮廓起点,获得整体打印路径。
2.根据权利要求1所述的“S”型贴壁填充的连续路径生成方法,其特征在于,步骤二中,模型的包络盒为矩形包络盒,通过遍历切片文件或者数据中的点得到包络盒最小值点min3D(Xmin,Ymin,Zmin),最大值点max3D(Xmax,Ymax,Zmax),它们组成包络盒AABB3D。
3.根据权利要求2所述的“S”型贴壁填充的连续路径生成方法,其特征在于,步骤三中,所述裁剪线段生成的步骤如下:
(1)将模型的包络盒AABB3D在XOY平面投影,判断包络盒长边方向:若(Ymax-Ymin)(Xmax-Xmin),则长边方向定义为Y方向;反之,长边方向为X方向;
(2)从投影后的包络盒AABB3D的轮廓上的长边上选取两点,作为提升点LPT1(x1,y1)与LPT2(x2,y2);
(3)根据长边方向,分别利用提升点LPT1与提升点LPT2生成裁剪线段Cseg1和Cseg2:若长边方向为Y方向,裁剪线段Cseg1的两个端点分别为(Xmin,y1),(Xmax,y1),裁剪线段Cseg2的两个端点分别为(Xmin,y2),(Xmax,y2);若长边方向为X方向,裁剪线段Cseg2的两个端点分别为(x1,Ymin),(x1,Ymax),裁剪线段Cseg2的两个端点分别为(x2,Ymin),(x2,Ymax)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学高端装备研究院,未经浙江大学高端装备研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210518164.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





