[发明专利]一种低漏电流层积电容器的化成铝箔的处理工艺和层积电容器

权利要求书

1.一种低漏电流层积电容器的化成铝箔的处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：对化成铝箔进行深层修复处理：将化成铝箔放入深层处理溶液中浸渍并施加电压，所述深层处理溶液包括如下质量百分比的原料：酸0.1％～1％、盐0.15％～1.5％、第一溶剂95％～99％、添加剂0.75％～2.5％，所述添加剂为含有5个～15个氟原子的氟碳树脂，施加的电压值为化成铝箔的化成电压值的1.05倍～1.45倍；

S2：在化成铝箔上构建树枝状大分子层：把经过步骤S1处理的化成铝箔放入大分子构建溶液中浸渍，再去除化成铝箔表面的溶液并烘干，所述大分子构建溶液包括如下质量百分比的原料：树枝状聚合物0.01％～0.05％、第二溶剂99.95％～99.99％。

2.如权利要求1所述的低漏电流层积电容器的化成铝箔的处理工艺，其特征在于，所述盐为脂肪族磺酸盐、芳香族磺酸盐、骨架含有4个～8个碳原子的铵盐中的至少一种。

3.如权利要求1所述的低漏电流层积电容器的化成铝箔的处理工艺，其特征在于，所述酸为芳香族磺酸、磷酸、脂肪族磺酸、次亚磷酸中的至少一种。

4.如权利要求1所述的低漏电流层积电容器的化成铝箔的处理工艺，其特征在于，所述树枝状聚合物为树枝状聚酰胺胺、树枝状环氧树脂、树枝状超支化聚酯中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的可降低漏电流的电容器制备工艺，其特征在于，所述树枝状聚酰胺的数均分子量为3100～6011，所述树枝状环氧树脂的羟值为500～700，所述树枝状超支化聚酯的羟值为500～600。

6.如权利要求1所述的低漏电流层积电容器的化成铝箔的处理工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，通过高压空气去除化成铝箔表面的溶液，高压空气的压强为0.3MPa～0.7MPa。

7.如权利要求1所述的低漏电流层积电容器的化成铝箔的处理工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，烘干温度为40℃～50℃，烘干时间为30分钟～70分钟。

8.一种层积电容器，其特征在于，应用如权利要求1至7任意一项所述的低漏电流层积电容器的化成铝箔的处理工艺而制得。