[发明专利]用于多存储器系统的机器学习

说明书

本申请涉及用于多存储器系统的机器学习。一种设备可以包括接口控制器、非易失性存储器和易失性存储器。所述接口控制器可以使所述设备从主机装置接收第一命令。所述接口控制器可以使所述设备将所述第一命令传达到机器学习引擎和被配置为存储和管理用于所述非易失性存储器和所述易失性存储器的命令的电路系统。所述接口控制器可以进一步使所述设备将由所述机器学习引擎生成的第二命令传达到电路。所述第二命令可以基于在训练模式期间由所述机器学习引擎确定的信息。

交叉引用

本专利申请要求巴拉普拉姆(Ballapuram)于2022年1月28日提交的题为“用于多存储器系统的机器学习(MACHINE LEARNING FOR A MULTI-MEMORY SYSTEM)”的美国专利申请第17/587,665号的优先权，该申请要求巴拉普兰于2021年5月6日提交的题为“用于多存储器系统的机器学习(MACHINE LEARNING FOR A MULTI-MEMORY SYSTEM)”的美国临时专利申请第63/185,201号的权益，每一个专利申请都被转让给其受让人，并且每个专利申请明确地通过引用整体并入本文。

技术领域

本技术领域涉及用于多存储器系统的机器学习。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在诸如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器，例如FeRAM，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。易失性存储器装置(例如DRAM)在与外部电源断开连接时可能丢失其所存储状态。

发明内容

描述了一种设备。所述设备可以包括非易失性存储器；易失性存储器，其被配置为作为所述非易失性存储器的高速缓冲存储器操作；以及接口控制器，其与所述非易失性存储器和所述易失性存储器耦合。所述接口控制器可以被配置为使所述设备：从主机装置接收第一命令；将所述第一命令传达到机器学习引擎和被配置为存储和管理用于所述非易失性存储器和所述易失性存储器的命令的电路系统；以及将由所述机器学习引擎生成的第二命令传达到所述电路系统，所述第二命令至少部分地基于在训练模式期间由所述机器学习引擎确定的信息。

描述了一种设备。所述设备可以包括非易失性存储器；易失性存储器，其被配置为作为所述非易失性存储器的高速缓冲存储器操作；以及接口控制器，其与所述非易失性存储器和所述易失性存储器耦合。所述接口控制器可以包含：电路系统，其被配置为存储和管理用于所述非易失性存储器和所述易失性存储器的命令；命令解码器，其被配置为从主机装置接收第一命令，并将所述第一命令传达到所述电路系统和机器学习引擎；以及所述机器学习引擎，其被配置为至少部分地基于由所述机器学习引擎在训练模式期间确定的所述信息来生成第二命令，并且被配置为将所述第二命令传达到所述电路系统。