[发明专利]一种聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210411316.4 申请日: 2022-04-19
公开(公告)号: CN114736372B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 凌欢;曾西平 申请(专利权)人: 深圳市华科创智技术有限公司
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08
代理公司: 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 代理人: 臧芳芳
地址: 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜具有式Ⅰ所示结构:

式Ⅰ;

式Ⅰ中,n为50-150;

R1、R2、R3、R4各自独立地为氢原子、卤素原子或碳原子数为1-4的饱和烃基;

A包括以下取代基中的任意一种:

2.一种如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将二胺单体、二酐单体与溶剂、催化剂、脱水剂混合均匀,充分搅拌溶解后加热进行缩聚反应,得到缩聚反应液;

(2)向步骤(1)得到的缩聚反应液中加入甲醇,析出固体,抽滤,将固体产物水洗烘干,得到聚酰亚胺粉末;

(3)将步骤(2)得到的聚酰亚胺粉末溶解于N ,N-二甲基甲酰胺中得到聚酰亚胺涂覆液,经过滤、真空脱泡后,涂覆成膜,烘烤,得到聚酰亚胺薄膜。

3.根据权利要求2所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述二胺单体具有式Ⅱ所示结构:

式Ⅱ,

其中R1、R2、R3、R4各自独立地为氢原子、卤素原子或饱和烃基。

4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,所述二胺单体包括以下结构式中的任意一种:

5.根据权利要求2所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述二酐单体包括以下结构式中的任意一种:

6.根据权利要求2所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述二胺单体和所述二酐单体的摩尔比为1:1;所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮,所述催化剂为异喹啉和间甲酚,所述脱水剂为甲苯,所述N-甲基吡咯烷酮、所述异喹啉、所述间甲酚和所述甲苯的体积比为200:1:60:10。

7.根据权利要求2所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述缩聚反应的反应温度为160-200℃,反应时间为10-15h;步骤(2)中所述烘干在真空环境中进行,烘干温度为120-180℃,烘干时间为20-28h。

8.根据权利要求2所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述聚酰亚胺涂覆液的固含量为10 wt%-20 wt%。

9.根据权利要求2所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述烘烤采用多段烘烤,烘烤温度分别为60℃、120℃、180℃、210℃,总烘烤时间为200min。

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