[发明专利]一种高光效LED芯片及制备方法

权利要求书

1.一种高光效LED芯片，所述芯片包括衬底和外延层，所述外延层包括N型半导体层、多量子阱区与P型半导体层，其特征在于：

所述芯片还包括设于所述P型半导体层上的电流阻挡层、设于所述电流阻挡层上的透明导电层、设于所述透明导电层上的第一金属阻挡层以及设于所述N型半导体层上的第二金属阻挡层、设于所述透明导电层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的高反射金属层以及设于所述高反射金属层上的第二绝缘层，所述高反射金属层与所述金属阻挡层保持绝缘；

其中，所述第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，所述P型导电电极通过预设的第一导电通孔与所述第一金属阻挡层接触进而与所述P型半导体层连接，所述N型导电电极通过预设的第二导电通孔与所述第二金属阻挡层接触进而与所述N型半导体层连接，且所述P型导电电极、N型导电电极与所述高反射金属层之间保持绝缘。

2.根据权利要求1所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述第一导电通孔贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层，所述P型导电电极通过所述第一导电通孔连接至所述第一金属阻挡层，以间接连接至所述透明导电层与所述P型半导体层。

3.根据权利要求1所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述第二导电通孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述P型半导体与所述多量子阱区以暴露出所述N型半导体层，所述N型导电电极通过所述第二导电通孔连接至所述第二金属阻挡层，以间接连接至所述N型半导体层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述电流阻挡层、所述第一绝缘层与所述第二绝缘层均由SiO₂、Al₂O₃、TiO₂中一种或多种不导电材料制成。

5.根据权利要求1-3任一项所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述透明导电层由ITO、IZO或其它透明导电材料制成。

6.根据权利要求1-3任一项所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述第一金属阻挡层和第二金属阻挡层均为由Cr、Al、Au、Pt、Ni、Ti中任一金属材料制成或由Cr、Al、Au、Pt、Ni、Ti中任意多种金属材料制成的叠层或单层结构。

7.根据权利要求1-3任一项所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述高反射金属层由Al、Ag、Mg金属材料或其它具有高反射特性的金属材料制成。

8.根据权利要求1-3任一项所述的高光效LED芯片，其特征在于：所述P型导电电极与所述N型导电电极均为由Cr、Al、Au、Pt、Ni、Ti中任一金属材料制成或由Cr、Al、Au、Pt、Ni、Ti中任意多种金属材料制成的叠层或单层结构。

9.一种高光效LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1-8任一项所述的高光效LED芯片，所述制备方法包括：

提供一衬底并在所述衬底上制作外延层，所述外延层包括N型半导体层、多量子阱区与P型半导体层；

在所述P型半导体上制作第一导电通孔；

在所述第一导电通孔内所述P型半导体之上依次制作电流阻挡层、透明导电层、第一金属阻挡层以及P型导电电极；

对所述P型半导体层与所述多量子阱区进行刻蚀，暴露出所述N型半导体层以得到MESA区域及第二导电通孔；

在所述第二导电通孔内所述N型半导体层之上制作所述第二金属阻挡层；

在所述P型半导体层上依次制作透明导电层、第一绝缘层、高反射金属层、第二绝缘层与N型导电电极，并且所述第二绝缘层延伸至所述第二导电通孔内与所述第二金属阻挡层接触，所述N型导电电极延伸至所述第二导电通孔内与所述第二金属阻挡层接触。

10.根据权利要求9所述的高光效LED芯片的制备方法，其特征在于，所述金属阻挡层为由Cr、Al、Au、Pt、Ni、Ti中任一金属材料制成或由Cr、Al、Au、Pt、Ni、Ti中任意多种金属材料制成的叠层或单层结构。