[发明专利]具有丰富活性位点的金属铋纳米片及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种具有丰富活性位点的金属铋纳米片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将硝酸、铋源和溴源分散在溶剂中，搅拌混合均匀，再将所得溶液转移至水热釜中，反应得到具有特定暴露位点的溴氧化铋纳米片前驱体；

S2、将溴氧化铋纳米片前驱体制备成工作电极，放入电解液中，在外加电压的条件下使其发生拓扑还原，得到具有电化学活性面积和活性位点的Bi纳米片；

步骤S2中，拓扑还原电位为0～-10.0Vvs.RHE，还原时间为0.1～24h。

2.根据权利要求1所述的具有丰富活性位点的金属铋纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，硝酸、铋源与溴源的质量比为(1～1000)：(1～1000)：(1～1000)。

3.根据权利要求1所述的具有丰富活性位点的金属铋纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，铋源包括硝酸铋、乙酸铋、三氟甲烷磺酸铋；溴源包括液溴、溴化钾、十六烷基三甲基溴化铵。

4.根据权利要求1所述的具有丰富活性位点的金属铋纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，反应温度为10～300℃，反应时间为0.1～48h。

5.一种具有丰富活性位点的金属铋纳米片，其特征在于：该金属铋纳米片采用如权利要求1-4任一项所述的方法制备而成，具有边沿位点、平面位点和/或缺陷位点，同时其具有电化学活性面积。

6.一种如权利要求5所述的具有丰富活性位点的金属铋纳米片作为催化剂在电催化二氧化碳还原制备甲酸盐中的应用。