[发明专利]一种保护碳化硅籽晶背封层的方法

权利要求书

1.一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶背面具有碳化膜，在所述碳化硅籽晶背面碳化膜上形成致密的保护层；

对碳化硅籽晶进行清洗以去除碳化硅籽晶生长面的有机物及金属杂质；

去除碳化膜背面的保护层。

2.根据权利要求1所述的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，所述保护层为树脂，所述树脂包括酚醛树脂、环氧树脂、过氯乙烯树脂其中的一种。

3.根据权利要求2所述的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，在碳化硅籽晶背面碳化膜上形成致密的保护层包括以下步骤：

加热熔化树脂；

在洁净环境下，将熔化的树脂均匀涂覆于碳化硅籽晶背面的碳化膜表面并凝固。

4.根据权利要求3所述的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，将熔化后的树脂均匀地涂覆于碳化硅籽晶背面的碳化膜表面的方法包括：使用旋涂机、刮涂机、刮片其中的一种。

5.根据权利要求4所述的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，去除碳化膜背面的保护层的步骤包括：通过将清洗后的碳化硅籽晶置入丙酮中去除涂覆于碳化膜表面的树脂；再将经过丙酮清洗的碳化硅籽晶置于乙醇或异丙醇中清洗从而以去除表面的丙酮。

6.根据权利要求1所述的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，所述保护层为SiO₂薄膜。

7.根据权利要求6所述的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，在碳化硅籽晶背面碳化膜上形成致密的保护层包括以下步骤：在洁净环境下，采用等离子体化学气相沉积法或磁控溅射法在碳化膜表面沉积SiO₂薄膜。

8.根据权利要求6所述的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，去除碳化膜背面的保护层的步骤包括：使用稀释氢氟酸水溶液去除SiO₂薄膜以及碳化硅生长面上的氧化层。

9.根据权利要求6所述的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，所述SiO₂薄膜的厚度范围为100nm～2000nm。

10.根据权利要求1所述的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，其特征在于，对碳化硅籽晶进行清洗的具体步骤包括：依次使用氨水和双氧水的水溶液、盐酸和双氧水的水溶液、稀释氢氟酸、乙醇对碳化硅籽晶进行清洗以去除碳化硅籽晶生长面的有机物及金属杂质。