[发明专利]电阻随机存取存储器（RERAM）单元的并行置位和复位电路

权利要求书

1.一种能够并行复位和置位编程的电阻随机存取存储器(ReRAM)阵列，包括：

布置成阵列的多个ReRAM单元，其中所述阵列包括多个行和多个列，其中阵列的至少两个ReRAM单元包括字，其中每个ReRAM单元包括，具有控制端口、第一端口和第二端口的选择器件，使得在施加到所述控制端口的信号的控制下，电流在所述第一端口和所述第二端口之间流动或不流动，以及包括顶部电极(TE)和底部电极(BE)的电阻元件，其中所述控制端口连接到字线，第一端口连接到源极线，TE连接到位线，所述第二端口连接到BE；

多个控制器，其中所述多个控制器中的每一个的输出致使所述多个ReRAM单元的所述列中的、具有被启用的相应字线的ReRAM单元的复位编程或置位编程；

从而使得复位编程和置位编程并行执行。

2.根据权利要求1所述的ReRAM阵列，其中所述多个控制器中的每一个进一步包括：

第一置位/复位(SR)信号输入，其中第一SR信号输入的第一SR信号处于第一操作电平和第二操作电平；

第一输出，通信地连接到所述多个ReRAM单元的所述列的源极线；

第二输出，通信地连接到所述多个ReRAM单元的所述列的位线；

第一多路复用器，具有连接到第一电压源的第一输入、和连接到第一SR信号输入的第二输入，其中在第一SR信号呈现第一操作电平时，所述第一电压源连接到所述第一输出，并且在第一SR信号呈现第二操作电平时，所述第一电压源连接到所述第二输出；以及

第二多路复用器，具有连接到第二电压源的第三输入、和连接到第一SR信号输入的第四输入，其中在第一SR信号呈现第一操作电平时，所述第二电压源连接到所述第四输出，并且在第一SR信号呈现第二操作电平时，所述第二电压源连接到所述第三输出。

3.根据权利要求2所述的ReRAM，其中响应于第一SR信号的第一值，所述第一电压源提供第一电压电平，并且响应于第一SR信号的第二值，所述第一电压源提供第二电压电平。

4.根据权利要求2所述的ReRAM阵列，其中所述第一电压源所提供的电压比所述第二电压源所提供的电压更高。

5.根据权利要求4所述的ReRAM阵列，其中所述第一操作电平低于所述第二操作电平。

6.根据权利要求4所述的ReRAM阵列，进一步包括：终止电路，用于在确定编程已经完成时终止正在被编程的ReRAM单元的编程。

7.根据权利要求6所述的ReRAM阵列，其中所述终止电路还包括：

输入端，提供正在被编程的ReRAM单元中流动的电流；

第二置位/复位(SR)信号输入，所述第二SR信号输入连接到所述第一SR信号输入；

终止信号输出；

比较器，具有正输入、负输入和输出，其中所述输出连接到所述终止信号输出；

第三多路复用器，具有信号输入、控制输入、第一输出和第二输出，其中第三多路复用器的所述信号输入连接到提供电流的输入，其中所述控制输入连接到第二SR信号输入，其中第三多路复用器的所述第一输出连接到比较器的所述负输入，并且其中第三多路复用器的所述第二输出连接到比较器的所述正输入；以及

第四多路复用器，具有，接收参考电流的输入、控制输入、第一输出和第二输出，其中控制输入连接到第二SR信号，其中第四多路复用器的所述第一输出连接到比较器的所述正输入，并且其中第四多路复用器的所述第二输出连接到比较器的所述负输入；

从而使得在第一SR信号的控制下，参考电流被引导到比较器的所述正输入或者比较器的所述负输入，而单元电流分别被引导到比较器的所述负输入或者比较器的所述正输入。

8.根据权利要求1所述的ReRAM阵列，其中所述选择器件是以下中的任一者，场效应晶体管(FET)、金属氧化物硅FET(MOSFET)、FinFET、绝缘体上硅(SOI)FET和双极结型晶体管(BJT)。

9.根据权利要求8所述的ReRAM阵列，其中FET包括栅极端口、源极端口和漏极端口。