[发明专利]单原子钴纳米酶材料、柔性电化学芯片传感器及其应用

权利要求书

1.一种单原子钴纳米酶材料，其特征在于，所述单原子钴纳米酶材料以含钴化合物作为钴的前驱体，以碳纳米材料作为基底，通过化学键合作用合成得到；所述化学键合作用包括π-π相互作用、酰胺键交联或共价键结合。

2.如权利要求1所述的单原子钴纳米酶材料，其特征在于，所述含钴化合物为酞氰钴、醋酸钴或氯化钴。

3.如权利要求1所述的单原子钴纳米酶材料，其特征在于，所述碳纳米材料为碳纳米管、石墨烯、石墨炔或碳三氮四。

4.如权利要求1-3中任一项所述的单原子钴纳米酶材料，其特征在于，所述含钴化合物与所述碳纳米材料的质量比为1：5-20。

5.一种生物芯片电极，其特征在于，包含权利要求1-4中任一项所述的单原子钴纳米酶材料。

6.一种柔性电化学芯片传感器，其特征在于，包括柔性基底和负载在所述柔性基底上的三电极或两电极体系，所述三电极或两电极体系的工作电极为权利要求5所述的生物芯片电极。

7.如权利要求6所述的柔性电化学芯片传感器，其特征在于，所述柔性基底选自聚酯膜、聚乙烯醇膜、聚酰亚胺、聚萘二甲酯乙二醇酯、菲林膜或柔性织物。

8.如权利要求1-4中任一项所述的单原子钴纳米酶材料，或权利要求6或7所述的柔性电化学芯片传感器在NO检测中的应用。

9.如权利要求8所述的应用，其特征在于，将权利要求6或7所述的柔性电化学芯片传感器置于含NO或NO释放源的检测液中，检测NO的电化学响应。

10.如权利要求9所述的应用，其特征在于，所述检测液的pH值为6-9。