[发明专利]测试电路、测试热载流子注入效应的方法与测试装置

权利要求书

1.一种测试电路，其特征在于，包括：

N个电阻单元，N个所述电阻单元串联形成电阻串结构；

电流检测单元，与所述电阻串结构电连接，用于检测流过所述电阻串结构的电流；

第一电极、第二电极、开关器件和N个测试电极，N为大于或者等于2的整数，其中，

所述电阻串结构的第一端与电源端电连接，所述电阻串结构的第二端分别与所述第一电极和所述开关器件的第一端电连接，所述开关器件的第二端接地，所述开关器件的第三端与所述第二电极电连接；

N个所述电阻单元的第二端用于与N个待测试MOS器件的栅极一一对应电连接；

N个所述测试电极用于与N个所述待测试MOS器件的漏极一一对应电连接，N个所述待测试MOS器件的源极和衬底接地。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述测试电极包括测试焊垫。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，N个所述电阻单元的阻值相等。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电路，其特征在于，所述电阻单元包括一个或者多个电阻。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的电路，其特征在于，所述开关器件为以下之一：

PMOS、NMOS、NPN BJT、PNP BJT。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的电路，其特征在于，所述待测试MOS器件为PMOS或者NMOS。

7.一种采用权利要求1至6中任一项所述的电路测试热载流子注入效应的方法，其特征在于，包括：

在第二电极上施加第一电压使得开关器件截止；

在电源端和第一电极上施加栅极工作电压，同时，在N个测试电极上施加漏极爬坡电压；

在N个所述测试电极上施加漏极工作电压，同时，在所述电源端和所述第一电极上施加栅极爬坡电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在N个所述测试电极上施加漏极工作电压，同时，在所述电源端和所述第一电极上施加栅极爬坡电压之后，所述方法还包括：

在所述第二电极上施加第二电压使得所述开关器件导通；

在所述电源端施加第三电压，在所述第二电极上施加第四电压，在所述第一电极处不施加电压，同时在N个所述测试电极上施加不同的漏极电压。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定所述电阻单元的阻值。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，确定所述电阻单元的阻值，包括：

在所述电源端施加第五电压，且同时在所述第一电极上施加第六电压；

获取流过所述电阻单元的电流；

根据所述第五电压、所述第六电压和所述电流，确定所述电阻单元的阻值。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述电源端施加第三电压，在所述第二电极上施加第四电压，在所述第一电极处不施加电压，同时在N个所述测试电极上施加不同的漏极电压之后，所述方法还包括：

在所述第二电极上施加所述第一电压使得所述开关器件截止；

在所述电源端和所述第一电极上施加所述栅极工作电压，同时，在N个测试电极上施加漏极爬坡电压；

在N个所述测试电极上施加漏极工作电压，同时，在所述电源端和所述第一电极上施加栅极爬坡电压。

12.一种测试装置，其特征在于，包括权利要求1至6中任一项所述的测试电路。

13.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求12所述的测试装置和N个待测试MOS器件。