[发明专利]解耦的横向激励薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种声波谐振器器件，包括：

一衬底；

一压电板，具有正面和背面，所述正面和背面之间的厚度大于或等于200nm且小于或等于1000nm，所述背面贴接在所述衬底上；

一解耦介电层，位于所述压电板正面；和

一叉指换能器(IDT)，在所述解耦介电层上形成，使得IDT的交错的指状物位于所述压电板的一部分之上，所述压电板的这部分悬置在所述衬底中形成的空腔上。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述IDT被配置为响应于施加到所述IDT的射频信号而在所述压电板中激发剪切声波。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述压电板是旋转的Y切割铌酸锂。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述解耦介电层包括二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述IDT的指状物的间距大于或等于所述压电板厚度的2倍且小于或等于所述压电板厚度的25倍。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，

IDT的指状物有一个宽度，并且

所述间距大于等于所述宽度的2倍且小于或等于所述宽度的25倍。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：

一正面介电层，在IDT的指状物之间的所述压电板的正面上形成，

其中，所述声波谐振器器件的谐振频率部分地由所述正面介电层的厚度确定。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述正面介电层包括二氧化硅和氮化硅中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述IDT包括铝、铝合金、铜、铜合金、铍和金中的一种。

10.一种滤波器器件，包括：

一衬底；

一压电板，具有正面和背面，所述正面和背面之间的厚度大于或等于200nm且小于或等于1000nm，所述背面附接在所述衬底上；

一解耦介电层，位于所述压电板正面上；和

一导体图案，在所述解耦介电层上形成，该导体图案包括相应多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)，其中

多个IDT中的每一个的交错的指状物位于所述压电板的各个部分之上，所述压电板的各个部分悬置在所述衬底中形成的一个或多个空腔上。

11.根据权利要求10所述的滤波器器件，其特征在于，所述多个IDT中的全部IDT被配置为响应于施加到每个IDT的相应射频信号而在所述压电板中激发剪切声波。

12.根据权利要求10所述的滤波器器件，其特征在于，所述压电板是旋转的Y切割铌酸锂。

13.根据权利要求10所述的滤波器器件，其特征在于，所述解耦介电层包括二氧化硅。

14.根据权利要求10所述的滤波器器件，其特征在于，所述多个IDT中的每一个IDT均位于所述压电板的相应部分，所述压电板的相应部分悬挂在所述衬底中形成的相应空腔上。

15.根据权利要求10所述的滤波器器件，其特征在于，所述多个谐振器包括一个并联谐振器和一个串联谐振器。

16.根据权利要求15所述的滤波器器件，其特征在于，沉积在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的厚度大于沉积在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的厚度。