[发明专利]一种高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器

权利要求书

1.一种高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，其特征在于：在蓝宝石衬底背面镀有UVC滤光膜，UVC滤光膜截止波长范围为280nm-400nm。

2.如权利要求1所述的高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，其特征在于：UVC滤光膜在UVC波段的透过率高于80％，UVC滤光膜在UVA和UVB波段的透过率低于0.1％。

3.如权利要求1或2所述的高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，其特征在于：UVC滤光膜材料为氧化铪、氧化锆、氧化硅或氧化钇中的两种及以上的复合结构。

4.如权利要求3所述的高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，其特征在于：UVC滤光膜材料为氧化铪和氧化硅交替蒸镀的复合结构，氧化铪的单层厚度为2～10nm，氧化硅的单层厚度为5～15nm。

5.如权利要求1或2所述的高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，其特征在于：UVC滤光膜的厚度为0.5-10μm。

6.如权利要求1或2所述的高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，其特征在于：包括从上到下依依次相接的金属pad、肖特基金属电极、低掺杂浓度的n型Al_xGa_1-xN光吸收层、重掺杂的n型Al_yGa_1-yN欧姆接触层、i型AlGaN过渡层、i型AlN缓冲层、蓝宝石衬底和UVC滤光膜；i型AlGaN过渡层的顶部周边超出重掺杂的n型Al_yGa_1-yN欧姆接触层的底部周边、形成环形电极区，n型欧姆接触电极设在环形电极区上，金属pad、肖特基金属电极、低掺杂浓度的n型Al_xGa_1-xN光吸收层和重掺杂的n型Al_yGa_1-yN欧姆接触层的外围设有钝化层；x、y满足0.72y，0.37x0.6。

7.如权利要求1或2所述的高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，其特征在于：低掺杂浓度的n型Al_xGa_1-xN光吸收层的平均掺杂浓度介于1×10¹⁴-1×10¹⁷cm^-3之间，重掺杂的n型Al_yGa_1-yN欧姆接触层的掺杂浓度介于1×10¹⁸-2×10¹⁹cm^-3之间；钝化层所采用的材质为二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氧化铝或氧化铪中的至少一种。

8.如权利要求1或2所述的高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，其特征在于：钝化层的厚度为50-1000nm；金属Pad的厚度为1-3μm；肖特基金属电极的厚度为5-300nm；低掺杂浓度的n型Al_xGa_1-xN光吸收层的厚度为100-600nm；重掺杂的n型Al_yGa_1-yN欧姆接触层的厚度为300-800nm；i型AlGaN过渡层的厚度为200-800nm；i型AlN缓冲层的厚度为0.25-5μm；蓝宝石衬底的厚度为100-500nm；n型欧姆接触电极的厚度为100-500nm。

9.如权利要求1或2所述的高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，其特征在于：肖特基金属电极为Ni、Au或Pt的单层金属或两层以上的复合结构，形状为圆形或方形；n型欧姆接触电极为Ti、Al、Ni、Au或Pt的单层或两层以上的复合结构，形状为环形；金属Pad为Ti、Al、Ni、Au或Pt的单层或两层以上的复合结构，形状为圆形或方形，覆盖部分或全部n型肖特基金属电极。