[发明专利]射频晶体管放大器封装

权利要求书

1.一种射频(RF)晶体管放大器封装，包括：

底座；

第一引线和第二引线，从底座的第一侧延伸并且被配置为向底座的表面上的一个或多个晶体管管芯提供RF信号连接；以及

至少一个铆钉，附接到在第一侧上的第一引线和第二引线之间的底座的表面。

2.如权利要求1所述的RF晶体管放大器封装，还包括：

隔离结构，从底座的表面上的所述至少一个铆钉延伸并且被配置为减少第一引线和第二引线之间的电磁耦合。

3.如权利要求2所述的RF晶体管放大器封装，其中隔离结构包括从底座的表面上的所述至少一个铆钉垂直突出的导电元件。

4.如权利要求1所述的RF晶体管放大器封装，还包括：

第一RF放大器路径，包括位于底座的表面上的第一输入引线和第一输出引线；以及

第二RF放大器路径，包括位于底座的表面上的分别与第一输入引线和第一输出引线相邻的第二输入引线和第二输出引线，

其中第一引线和第二引线分别包括第一输入引线和第二输入引线或第一输出引线和第二输出引线。

5.如权利要求4所述的RF晶体管放大器封装，其中隔开第一输入引线和第二输入引线的间距不同于隔开第一输出引线和第二输出引线的间距。

6.如权利要求4所述的RF晶体管放大器封装，其中第一引线和第二引线包括在底座的第一侧上的第一输入引线和第二输入引线，其中所述至少一个铆钉包括至少一个第一铆钉，并且还包括：

至少一个第二铆钉，附接到在底座的与第一侧相对的第二侧上的第一输出引线和第二输出引线之间的底座的表面。

7.如权利要求6所述的RF晶体管放大器封装，还包括：

隔离结构，在底座的表面上的所述至少一个第一铆钉和所述至少一个第二铆钉之间延伸，并被配置为减少第一RF放大器路径和第二RF放大器路径之间的电磁耦合。

8.如权利要求7所述的RF晶体管放大器封装，其中隔离结构包括从第一RF放大器路径和第二RF放大器路径之间的底座的表面垂直突出并且将所述至少一个第一铆钉连接到所述至少一个第二铆钉的导电元件。

9.如权利要求8所述的RF晶体管放大器封装，其中导电元件包括至少一个金属片段和/或至少一根接合线。

10.如前述权利要求中的任一项所述的RF晶体管放大器封装，其中底座的第一侧的一个或多个拐角没有铆钉。

11.如权利要求10所述的RF晶体管放大器封装，其中第一引线和/或第二引线延伸到底座的第一侧的所述一个或多个拐角。

12.如权利要求10所述的RF晶体管放大器封装，还包括：

一根或多根非RF引线，从底座的第一侧的所述一个或多个拐角延伸。

13.如权利要求12所述的RF晶体管放大器封装，其中所述一根或多根非RF引线分别包括在底座的表面上延伸的第一部分和延伸超出底座的表面的第二部分，其中在平面图中，第一部分和第二部分包括至少一个基本相似的维度。

14.如前述权利要求中的任一项所述的RF晶体管放大器封装，其中：

第一引线和第二引线分别包括在底座的表面上延伸的内部部分和从内部部分延伸超出底座的表面的外部部分；以及

对于第一引线和第二引线中的至少一根，内部部分和外部部分以不同的间距与底座的表面的平面隔开。