[发明专利]光刻设备、量测系统和用于误差校正的强度不平衡性测量

权利要求书

1.一种量测系统，包括：

分束器，所述分束器被配置为将由目标散射的散射辐射分成辐射的第一部分和第二部分；

第一传感器，所述第一传感器被配置为接收所述第一部分；以及

第二传感器，所述第二传感器被配置为在所述第二部分沿着包括楔形系统的路径传播之后接收所述第二部分，所述楔形系统包括被配置为使所述第二部分偏向的第一楔形件。

2.如权利要求1所述的量测系统，其中：

所述第二部分包括第一辐射束和第二辐射束；并且

所述第一楔形件进一步被配置为使所述第一辐射束和所述第二辐射束相对于所述第二部分的光学轴线以大于0.5度的角度偏向。

3.如权利要求1所述的量测系统，其中：

所述第二部分包括第一辐射束和第二辐射束；并且

所述第一楔形件进一步被配置为使所述第一辐射束和所述第二辐射束分开，使得所述第一辐射束和所述第二辐射束之间的横向距离增加大于约1mm。

4.如权利要求1所述的量测系统，其中，所述楔形系统包括第二楔形件，所述第二楔形件被配置为准直所述第二部分。

5.如权利要求1所述的量测系统，其中，所述楔形系统包括第二楔形件，所述第二楔形件被配置为从所述第一楔形件接收被偏向的第二部分并且在所述被偏向的第二部分传输到所述第二传感器之前准直所述第二部分。

6.如权利要求1所述的量测系统，其中，所述第一传感器被配置为基于所接收的第一部分确定所述目标的性质。

7.如权利要求6所述的量测系统，其中，所述第二传感器进一步被配置为基于所接收的第二部分确定所述性质的校正值。

8.如权利要求7所述的量测系统，其中，进一步基于所述第二部分的被偏向的辐射之间的强度不平衡性的比较来确定所述校正值。

9.如权利要求7所述的量测系统，其中：

所述性质是所述目标的对准位置；并且

所述量测系统进一步被配置为使用所述校正值来调整所述对准位置。

10.如权利要求1所述的量测系统，其中，所述第二部分在所述楔形系统之前形成光瞳图像。

11.如权利要求10所述的量测系统，其中，所述第一楔形件进一步被配置为将所述光瞳图像分成至少第一区段和第二区段并且使至少所述第一区段和第二区段分开。

12.如权利要求11所述的量测系统，其中：

所述目标包括光栅结构；

所述第一区段包括来自所述目标的第一衍射阶；并且

所述第二区段包括来自所述目标的与所述第一衍射阶不同的第二衍射阶。

13.如权利要求11所述的量测系统，其中，所述第二传感器包括：

第一检测器，所述第一检测器被配置为接收所述第一区段；以及

第二检测系统，所述第二检测系统被配置为接收所述第二区段。

14.如权利要求13所述的量测系统，其中，所述第二传感器包括致动器，所述致动器被配置为调整所述第二传感器的位置，使得所述第一检测器和所述第二检测器与所述光瞳图像的由所述第一楔形件系统分开的所述第一区段、所述第二区段及其他区段中的任意两个区段对准。

15.如权利要求13所述的量测系统，其中，所述第二传感器进一步包括：

第一孔结构，所述第一孔结构被配置为在所述第一区段中的辐射在所述第一检测器处被接收之前调节所述第一区段中的辐射；以及

第二孔结构，所述第二孔结构被配置为在所述第二区段中的辐射在所述第二检测器处被接收之前调节所述第二区段中的辐射。