[发明专利]用于光刻设备中的衬底保持器和制造衬底保持器的方法

权利要求书

1.一种生产用于在光刻设备中使用的衬底保持器的方法，所述衬底保持器包括从所述衬底保持器突出的多个突节，并且每个突节具有被配置成与衬底接合的远端表面，所述方法包括：

经由等离子体增强式化学气相淀积，将耐磨材料的涂层施加于所述多个突节中的一个或更多个突节的远端表面处，

所述涂层的施加包括：

在100W至1000W的范围内调整RF电极的射频(RF)功率以产生等离子体；和

在腔室中将所述一个或更多个多个突节暴露于处于在20sccm至300sccm之间的气体流率的前体气体，所述前体气体是己烷。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述涂层的施加还包括：

调整一个或更多个过程参数，所述一个或更多个过程参数包括以下中的至少一个：

其中放置有所述衬底保持器的所述腔室的真空水平，所述真空水平在1×10^-3至5×10^-2mbar的范围内；或

其上放置有所述衬底保持器的台的转台速度，所述转台速度在5rpm至100rpm的范围内。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，具有耐磨材料的涂层使得一个或更多个多个突节的远端表面还具有以下性质中的至少一种性质：

所得到的涂层的摩擦系数，在0.05至0.5的范围内；

所得到的涂层的表面，具有小于10nm的高斑点、以及跨越所述衬底保持器的所述多个突节且在300nm或更小的直径的范围内在涂层厚度的上下10％范围内的厚度均匀性；或

晶片装载栅格，在0.1nm至1.5nm的范围内，所述晶片装载栅格是所述衬底相对于参考物的相对定位误差。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述耐磨材料是类金刚石碳(DLC)，和/或所述DLC包括：(i)掺杂B、N、Si、O、F、S的DLC；和/或(ii)掺杂金属的DLC，其掺杂有Ti、Ta、Cr、W、Fe、Cu、Nb、Zr、Mo、Co、Ni、Ru、Al、Au或Ag。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述耐磨材料的所述涂层使得所述一个或更多个突节的所述远端表面具有在20GPa至27GPa的范围内的硬度性质和在0.1nm/hr至2nm/hr的范围内的腐蚀速率性质，所述腐蚀速率是在稀NaCl溶液中在大约+2.5V的情况下通过恒电位器计时电流法被测量的；和/或

其中，所述硬度是通过纳米压痕而被测量的，其中利用玻式金刚石压头使用纳米DMA换能器来进行测量且压痕深度保持在所述涂层厚度的10％以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：

在施加所述涂层之前利用氩(Ar)气清洁所述多个突节，其中所述清洁包括使用所述Ar气在大约1000W的RF功率的情况下产生等离子体且在75sccm之间调整Ar气流率达100秒；

逐渐减小Ar流率且同时增大己烷流率；和

在100W至1000W之间逐渐调谐RF功率以用于施加所述涂层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述腔室具有几何形状，所述几何形状由以下来表征：

所述腔室的内部的直径；

所述腔室的顶部与转台之间的距离；和/或

衬底或转台与气体分配管线之间的距离。

8.生产用于在光刻设备中使用的衬底保持器的方法，所述衬底保持器包括从所述衬底保持器突出的多个突节，并且每个突节具有被配置成与衬底接合的远端表面，所述方法包括：

经由等离子体增强式化学气相淀积，将耐磨材料的涂层施加于所述多个突节中的一个或更多个突节的远端表面处，

所述涂层的施加包括：

在50W至750W的范围内调整RF电极的射频(RF)功率以产生等离子体；和

在腔室中将所述一个或更多个多个突节暴露于处于在10sccm至100sccm之间的气体流率的前体气体，所述前体气体是乙炔。