[发明专利]曝光图案、用于其形成的曝光掩模和利用其的曝光图案形成方法在审
| 申请号: | 202180035745.X | 申请日: | 2021-04-06 |
| 公开(公告)号: | CN115668450A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
| 发明(设计)人: | 李俊九;金浚河;孙同镇;张民锡 | 申请(专利权)人: | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/38;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟海胜;宋海花 |
| 地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 曝光 图案 用于 形成 利用 方法 | ||
1.一种曝光图案,是通过分割曝光而形成的曝光图案,其特征在于,在由第一次曝光形成的第一曝光区域与由第二次曝光形成的第二曝光区域所重叠的区域中,构成所述第一曝光区域的第一单位图案区域的面积与构成所述第二曝光区域的第二单位图案区域的面积不同。
2.根据权利要求1所述的曝光图案,其特征在于,所述第一单位图案区域的面积与第二单位图案区域的面积之比为1:0.7至1:1.3。
3.根据权利要求1所述的曝光图案,其特征在于,所述曝光图案形成中所使用的光致抗蚀剂PR为选自由正型光致抗蚀剂和负型光致抗蚀剂组成的组中的一种以上。
4.一种曝光掩模,是用于将曝光区域分割成多个区域而进行曝光的分割曝光的曝光掩模,其特征在于,
包含非重叠曝光部、与所述非重叠曝光部的一侧相邻的第一重叠曝光部、和与所述非重叠曝光部的另一侧相邻的第二重叠曝光部,
所述第一重叠曝光部所包含的第一子像素的面积与所述第二重叠曝光部所包含的第二子像素的面积不同。
5.根据权利要求4所述的曝光掩模,其特征在于,所述第一子像素的面积与第二子像素的面积之比为1:0.7至1:1.3。
6.一种曝光图案形成方法,是通过将曝光区域分割成多个区域而进行曝光的分割曝光图案形成方法,其特征在于,包括:
利用包含非重叠曝光部、与所述非重叠曝光部的一侧相邻的第一重叠曝光部和与所述非重叠曝光部的另一侧相邻的第二重叠曝光部的曝光掩模来实施第一次曝光而形成第一曝光区域的步骤;以及
利用所述曝光掩模来实施第二次曝光而形成第二曝光区域的步骤,
在由第一次曝光形成的第一曝光区域与由第二次曝光形成的第二曝光区域所重叠的区域中,构成所述第一曝光区域的第一单位图案区域的面积与构成所述第二曝光区域的第二单位图案区域的面积不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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