[发明专利]新型鎓盐和光产酸剂

说明书

本发明作为光产酸剂发挥功能，进而该光产酸剂通过与下述成分等组合提供一种化学增幅型光致抗蚀剂组合物，该成分是在通过照射光或电子射线等活性能量射线所产生的酸的作用下对碱的溶解性增大的树脂。本发明涉及一种鎓盐，其为通式(1)所示的鎓盐，其中，在阴离子结构的面式体和经式体这2种异构体中，面式体的比例为15.0重量％以下。[(R²)_n+1‑E]⁺[(R¹)₃(F)₃P]^‑(1)。

技术领域

本发明涉及新型鎓盐和新型鎓盐型的光产酸剂。更详细而言，涉及适合作为半导体的图案形成中使用的化学增幅型抗蚀剂用树脂组合物的光产酸剂。

背景技术

以往，已知通过照射光或电子射线等活性能量射线而产生酸的光产酸剂。此外，这些光产酸剂作为抗蚀剂用光产酸剂而广为人知(专利文献1、2)。

另外，作为这些说明书中记载的阴离子，含有磺酸盐、BF₄^-、PF₆^-、AsF₆^-、SbF₆^-。从As、Sb的毒性的观点出发，在抗蚀剂材料、尤其是半导体抗蚀剂领域中避免使用AsF₆^-、SbF₆^-，而BF₄^-、PF₆^-的酸强度弱，极不便于使用。此外，还记载了特殊的磷系物质，但也不能说其发挥出特性充分的灵敏度(专利文献3)。还有文献记载了该特殊磷系的制造方法，但即使利用该制造方法也无法发现有用的光产酸剂(专利文献4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平2002-193925号公报

专利文献2：日本特开平2001-354669号公报

专利文献3：WO2005/116038号公报

专利文献4：日本特表2004-533473号公报

发明内容

发明所要解决的课题

因此，本发明发现，通过具有特定的阴离子结构、进而将该阴离子结构的立体异构体控制于某一范围，在用作抗蚀剂材料时可特异性地发挥出高灵敏度，由此完成了本发明。

用于解决课题的手段

本发明人合成了下述鎓盐并发现其适合上述目的，该鎓盐为通式(1)所示的鎓盐，其中，在阴离子结构的面式体和经式体这2种异构体中，面式体的比例为15.0重量％以下。

[(R²)_n+1-E]⁺[(R¹)₃(F)₃P]^- (1)

式(1)中，R¹是经卤原子取代的碳原子数为1～18的烷基、或碳原子数为6～18(不包括下述取代基的碳原子数)的芳基。芳基中的一部分氢原子可以被碳原子数为1～18的烷基、卤原子、经卤原子取代的碳原子数为1～8的烷基、碳原子数为2～18的烯基、碳原子数为2～18的炔基所取代；