[实用新型]一种新型ESP封装的快恢桥结构

说明书

本实用新型属于半导体封装，二极管整流桥技术领域，尤其为一种新型ESP封装的快恢桥结构，包括基板，所述基板上端设置有芯片基板，所述芯片基板上端设置有FR芯片，所述芯片基板上端还设置有连接片，所述基板内部设置有引脚，恢复曲线较软，关断特性较平滑,可降低二极管结电容，使得谐波振荡产生的非常少；可改善电源K前的差模传导；可减少使用抑制EMI器件，节省成本；节省空间，提高效率。

技术领域

本实用新型属于半导体封装，二极管整流桥技术领域，具体涉及一种新型ESP封装的快恢桥结构。

背景技术

整流桥一般带有足够大的电感性负载，因此整流桥不出现电流断续。一般整流桥应用时,常在其负载端接有平波电抗器,故可将其负载视为恒流源；多组三相整流桥相互连接，使得整流桥电路产生的谐波相互抵消。按整流变压器的类型可以分为传统的多脉冲变压整流器和自耦式多脉冲变压整流器。传统的多脉冲变压整流器采用隔离变压器实现输入电压和输出电压的隔离，但整流变压器的等效容量大，体积庞大。

整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

现有同封装ESP整流器为标准普通整流器，具有反向恢复时间长；用于电源器件时，电源响应时间长，电源EMI不容易过影响封装后的使用效果。

实用新型内容

为解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种新型ESP封装的快恢桥结构，具有极大减少谐波振荡的产生，可改善电源K前的差模传导，减少使用抑制EMI器件，节省成本，节省空间，提高效率的特点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型ESP封装的快恢桥结构，包括基板，所述基板上端设置有芯片基板，所述芯片基板上端设置有FR芯片，所述芯片基板上端还设置有连接片，所述基板内部设置有引脚。

作为本实用新型的一种新型ESP封装的快恢桥结构优选技术方案，所述芯片基板为两个设置，所述FR芯片为四个设置，四个所述FR芯片对称安装在两个芯片基板的上端。

作为本实用新型的一种新型ESP封装的快恢桥结构优选技术方案，所述连接片为两个设置，且将横向的两个FR芯片连接，所述连接片另一端对对应的引脚连接。

作为本实用新型的一种新型ESP封装的快恢桥结构优选技术方案，所述引脚另一端与电路板连接，所述FR芯片连接引脚的另一端连接电源正负极。

作为本实用新型的一种新型ESP封装的快恢桥结构优选技术方案，所述基板、芯片基板、FR芯片、连接片、引脚均通过锡焊连接电性导通。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：恢复曲线较软，关断特性较平滑,可降低二极管结电容，使得谐波振荡产生的非常少；可改善电源K前的差模传导；可减少使用抑制EMI器件，节省成本；节省空间，提高效率。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为本实用新型仰视的结构示意图；

图2为本实用新型侧视的结构示意图；

图中：1、基板；2、芯片基板；3、FR芯片；4、连接片；5、引脚。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例