[实用新型]一种太阳能电池片EL检测装置有效
| 申请号: | 202122201965.5 | 申请日: | 2021-09-13 |
| 公开(公告)号: | CN215896313U | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
| 发明(设计)人: | 陈国锋;邓飞 | 申请(专利权)人: | 苏州卓樱自动化设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18;H01L21/677 |
| 代理公司: | 江苏智天知识产权代理有限公司 32550 | 代理人: | 陈文艳 |
| 地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 el 检测 装置 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池片EL检测装置,针对电池片检测的问题,提供了以下技术方案,包括机架,机架呈四方柱状,内部中空,机架内部顶端固定有一EL检测相机,机架内部底端设有检测系统,检测系统包括滑轨板,滑轨板竖直固定在机架底端,滑轨板中间固定有一上工作台和一下工作台,上工作台上固定有若干排向下的通电探针,下工作台上竖直固定有与通电探针的排数相等且竖直位置对应的铜排;机架表面设有不透光的雾面板。本实用新型提供了一种太阳能电池片EL检测装置,通过上工作台上的通电探针和下工作台上的铜排对电池片进行闭合夹紧,然后EL检测相机进行检测,结构简单,操作简便,能提高电池片的检测效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池板生产加工领域,更具体地说,它涉及一种太阳能电池片EL检测装置。
背景技术
太阳电池是一种对光有响应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种,如:单晶硅,多晶硅, 非晶硅,砷化镓,硒铟铜等。它们的发电原理基本相同,现以晶体硅为例描述光发电过程。 P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅,形成P-N结。当光线照射太阳电池表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子,使电子发生了跃迁,成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差,当外部接通电路时,在该电压的作用下,将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是:光子能量转换成电能的过程。
硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此有必要得到一种能快捷有效检测太阳能电池片质量且结构简单的检测设备。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池片EL检测装置,具有能快捷有效检测太阳能电池片质量且结构简单的优点。
为实现上述目的,本实用新型提供了如下技术方案:
一种太阳能电池片EL检测装置,包括机架,所述机架呈四方柱状,内部中空,所述机架内部顶端固定有一EL检测相机,所述机架内部底端设有检测系统,所述检测系统包括滑轨板,所述滑轨板竖直固定在所述机架底端,所述滑轨板中间固定有一升降装置,所述升降装置包括一升降杆和一传动电机;所述升降杆上固定有一上工作台和一下工作台,所述上工作台上固定有若干排向下的通电探针,所述下工作台上竖直固定有与所述通电探针的排数相等且竖直位置对应的铜排;所述机架表面设有不透光的雾面板。
本实用新型提供了一种太阳能电池片EL检测装置,检测时将太阳能电池片放在上工作台和下工作台之间,闭合通电后再用EL检测相机进行拍照,正常情况下良好的电池片通电后会在EL检测相机的拍摄下发光,相对暗淡的区域则表明电池片内部结构受损,本装置的机架表面设有不透光的雾面板,使检测环境处于尽量黑暗的环境下,进一步提高了检测效果。本实用新型相对于上下面均采用通电探针的检测设备采用了铜排在下工作台上产生回路,一方面节约成本,另一方面放宽了对准精度,提高了效率。
进一步的,所述上工作台和下工作台平行固定于所述升降杆上,所述升降杆两侧竖直对称设有滑接轨,所述滑接轨固定于所述滑轨板上,所述滑接轨两侧设有连接凹槽。
进一步的,所述上工作台和下工作台靠近所述滑轨板一端均设有一连接块,所述连接块靠近所述滑轨板一端中间开有一上下贯通的孔道,所述连接块靠近所述滑轨板一侧的两端固定有与所述滑接轨嵌合的滑接块。
进一步的,所述升降杆穿过所述孔道与所述上工作台和下工作台连接,所述连接块卡接在所述滑接轨上。
检测时,升降杆在传动电机的作用下带动上下工作台移动,滑接轨进一步起到导向作用,上下工作台闭合后对电池片进行检测。
进一步的,所述上工作台内均匀固定有若干放置架,所述放置架之间相互平行,所述通电探针均匀固定于所述放置架上。
进一步的,所述下工作台表面开有卡接槽,所述铜排嵌入所述卡接槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





