[实用新型]一种用于LPCVD模块的底座及其LPCVD模块有效
| 申请号: | 202122063121.9 | 申请日: | 2021-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN215757602U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 魏巍 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 lpcvd 模块 底座 及其 | ||
本实用新型提供了一种用于LPCVD模块的底座及其LPCVD模块,LPCVD模块包括:具有第一连接端口和第二连接端口的底座本体、和具有第一注射器口和第二注射器口的注射器;其中,所述底座本体还具有第一气体引导管和第二气体引导管,所述第一气体引导管位于所述第一连接端口内,所述第二气体引导管位于所述第二连接端口内;所述第一连接端口与所述第一注射器口连接,所述第二连接端口与所述第二注射器口连接,由此本实用新型提供的用于LPCVD模块的底座及其LPCVD模块降低了所述注射器与所述底座本体安装不完美的情况下发生气体泄漏的风险,从而保障了后续产品的良率和可靠性。
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造领域,尤其涉及一种用于LPCVD模块的底座及其LPCVD模块。
背景技术
SPT ONO型号的LPCVD设备中注射器的安装设计是通过与底座本体衔接安装在进气歧管内部。而在注射器与底座本体安装的过程中,注射器与底座本体之间无密封圈,仅仅依靠注射器与底座本体的弧面作为密封面。容易造成气体泄漏从而影响工艺,严重影响后期产品良率和可靠性。参考附图1,附图1为现有技术中LPCVD模块中注射器完美安装时结构示意图,从图中可以看出,只有当注射器与底座本体弧面完美匹配时,现有技术中注射器正常安装时气体500才能够只通过第一注射器口100a和第二注射器口100b进入所述注射器内。参考附图2,附图2为现有技术中LPCVD模块中注射器非完美安装时结构示意图,当注射器与底座本体弧面非完美匹配时,现有技术中注射器非完美安装时气体600就会从所述第一注射器口100a和所述第二注射器口100b与所述底座本体连接的地方侧漏。同时,在安装过程中对于安装手法要求较高,因为SPT ONO型号的LPCVD设备中注射器的形状为H型,安装时必须要求注射器两个注射器口都与底座本体匹配才能避免气体泄漏。而注射器和底座本体安装在进气歧管内部,安装人员无法进行测漏确认,无法验证安装是否正常,实际通气量无法保证。而在注射器与底座本体安装完毕后,注射器仍会前后左右晃动,接触面不能完全密合导致气体泄漏。
因此,如何提供一种改造后的LPCVD模块,以克服现有技术中存在的上述缺陷,日益成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种用于LPCVD模块的底座及其LPCVD模块,以解决现有技术中存在的因注射器无法与底座本体完全密合,且在安装完毕后因晃动导致的气体泄漏问题。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种用于LPCVD模块的底座,包括:底座本体、设置在所述底座本体上的第一连接端口和第二连接端口、以及第一气体引导管和第二气体引导管;
其中,所述第一气体引导管位于所述第一连接端口内,所述第二气体引导管位于所述第二连接端口内;
所述第一连接端口和所述第二连接端口用于与注射器的注射口连接。
可选的,所述第一连接端口和所述第二连接端口包括凹槽型;所述第一连接端口和所述第二连接端口的槽口位于所述底座本体的顶部。
可选的,所述第一气体引导管的管口高于所述第一连接端口的槽底和/或所述第二气体引导管的管口高于所述第二连接端口的槽底。
可选的,所述第一气体引导管的管口低于所述第一连接端口的槽口和/或所述第二气体引导管的管口低于所述第二连接端口的槽口。
可选的,所述第一气体引导管与所述第一连接端口内壁之间、以及所述第二气体引导管与所述第二连接端口内壁之间具有一定间隙。
可选的,所述第一气体引导管和/或所述第二气体引导管包括空心圆柱体。
可选的,所述底座本体的材质包括不锈钢。
本实用新型还提供了一种LPCVD模块,包括:具有第一注射器口和第二注射器口的注射器和所述用于LPCVD模块的底座;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122063121.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种更换气缸组件的工具
- 下一篇:一种用于气化炉环腔的除尘装置
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





