[实用新型]一种用于LPCVD模块的底座及其LPCVD模块有效
| 申请号: | 202122063121.9 | 申请日: | 2021-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN215757602U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 魏巍 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 lpcvd 模块 底座 及其 | ||
1.一种用于LPCVD模块的底座,其特征在于,包括:底座本体、设置在所述底座本体上的第一连接端口和第二连接端口、以及第一气体引导管和第二气体引导管;
其中,所述第一气体引导管位于所述第一连接端口内,所述第二气体引导管位于所述第二连接端口内;
所述第一连接端口和所述第二连接端口用于与注射器的注射口连接。
2.如权利要求1所述的一种用于LPCVD模块的底座,其特征在于,所述第一连接端口和所述第二连接端口包括凹槽型;所述第一连接端口和所述第二连接端口的槽口位于所述底座本体的顶部。
3.如权利要求2所述的一种用于LPCVD模块的底座,其特征在于,所述第一气体引导管的管口高于所述第一连接端口的槽底和/或所述第二气体引导管的管口高于所述第二连接端口的槽底。
4.如权利要求2所述的一种用于LPCVD模块的底座,其特征在于,所述第一气体引导管的管口低于所述第一连接端口的槽口和/或所述第二气体引导管的管口低于所述第二连接端口的槽口。
5.如权利要求1所述的一种用于LPCVD模块的底座,其特征在于,所述第一气体引导管与所述第一连接端口内壁之间、以及所述第二气体引导管与所述第二连接端口内壁之间具有一定间隙。
6.如权利要求1所述的一种用于LPCVD模块的底座,其特征在于,所述第一气体引导管和/或所述第二气体引导管包括空心圆柱体。
7.如权利要求1所述的一种用于LPCVD模块的底座,其特征在于,所述底座本体的材质包括不锈钢。
8.一种LPCVD模块,其特征在于,包括:具有第一注射器口和第二注射器口的注射器和如权利要求1-7任一项所述的用于LPCVD模块的底座;
其中,所述第一注射器口与所述第一连接端口连接,所述第二注射器口与所述第二连接端口连接;
所述第一气体引导管位于所述第一连接端口和所述第一注射器口形成的容纳空间内,所述第二气体引导管位于所述第二连接端口和所述第二注射器口形成的容纳空间内。
9.如权利要求8所述的一种LPCVD模块,其特征在于,所述第一注射器口嵌套在所述第一连接端口内,所述第二注射器口嵌套在所述第二连接端口内。
10.如权利要求8所述的一种LPCVD模块,其特征在于,所述第一气体引导管插入所述第一注射器口第一长度,所述第二气体引导管插入所述第二注射器口第二长度。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





