[实用新型]一种高集成高可靠IGBT功率模块

权利要求书

1.一种高集成高可靠IGBT功率模块，其特征在于，包括：金属底板、封装外壳底座、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、Q1芯片、D1芯片、D2芯片、Q2芯片、Q3芯片、D3芯片、D4芯片、Q4芯片、封装外壳管帽；

所述Q1芯片、Q2芯片、Q3芯片、Q4芯片为IGBT芯片；

所述D1芯片、D2芯片、D3芯片、D4芯片为二极管芯片；

将所述多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片贴装焊接在金属底板上，多层布线陶瓷转接基片位于多层布线陶瓷左半桥基片与多层布线陶瓷右半桥基片之间；

将所述Q1芯片、D1芯片、D2芯片、Q2芯片按设计布局贴装焊接多层布线陶瓷左半桥基片上，将所述Q3芯片、D3芯片、D4芯片、Q4芯片按设计布局贴装焊接多层布线陶瓷右半桥基片上；

按连接设计采用键合丝进行相应连接点之间的连线键合；

相应连接点之间连线键合的键合丝根数由流过的电流大小设定，至少为1根键合丝；

封装外壳底座与封装外壳管帽进行充惰性气体全密封焊接。

2.根据权利要求1所述的高集成高可靠IGBT功率模块，其特征在于，所述IGBT芯片为耐压1200V芯片。

3.根据权利要求1所述的高集成高可靠IGBT功率模块，其特征在于，所述二极管芯片为快速恢复二极管芯片。

4.根据权利要求1所述的高集成高可靠IGBT功率模块，其特征在于，所述键合丝为500微米直径的硅铝丝。

5.根据权利要求1所述的高集成高可靠IGBT功率模块，其特征在于，所述键合丝的键合根数为栅极1根、集电极及发射极4-10根。

6.根据权利要求1所述的高集成高可靠IGBT功率模块，其特征在于，所述封装外壳的结构为全金属封装、全陶瓷封装或金属陶瓷封装。

7.根据权利要求1所述的高集成高可靠IGBT功率模块，其特征在于，所述惰性气体为氦气或氮气。