[实用新型]一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路有效
| 申请号: | 202121332433.9 | 申请日: | 2021-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN215647076U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
| 发明(设计)人: | 李凯;李谋涛 | 申请(专利权)人: | 武汉微智芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H04N5/3745 | 分类号: | H04N5/3745 |
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 吴静 |
| 地址: | 430073 湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 积分 光电 成像 处理 电路 偏置 | ||
本实用新型提供一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路,包括DAC芯片、偏置电路和像元电路,所述偏置电路包括若干参考元电阻ROA、若干第二参考元电阻ROB、若干第二偏置MOS管PMOS、若干第二偏置MOS管NMOS,各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与DAC芯片相连,各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与偏置电压Vgsk接口相连,各所述第二偏置MOS管NMOS的栅极均与偏置电压Vgfid接口相连,各所述第二偏置MOS管NMOS的漏极均与偏置电压Vgfid接口相连。
技术领域
本实用新型涉及光电成像领域,尤其涉及一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路。
背景技术
目前帧积分光电成像的偏置电路一般采用内置DAC供电,如图1所示,RA为有效元电阻,用来接收外界各波段光辐射;ROB为参考元电阻,可隔离外界光辐射,ROB和RA结构相同,阻值大小一致;PMOS为RA的偏置MOS管;NMOS为ROB的偏置MOS管;VDETP和Vgsk为RA偏置电压;VDETN和Vgfid为ROB偏置电压;VREF为积分电容消隐期复位电压。其中Vgsk和Vgfid为内置DAC供电。
传统帧积分光电成像处理电路的偏置电路的缺点是,由于RA和ROB存在工艺及环境差异,在芯片环境变化时,RA和ROB可能会有不同大小的阻值变化,这样会给积分电流引入一个偏差量,从而使输出VIDEO信号值有一个整体漂移,甚至会漂移至输出饱和。
因此有必要设计一种新的帧积分光电成像处理电路的偏置电路,以克服上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷,提供了一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路,至少解决了现有技术中的部分问题。
本实用新型是这样实现的:
本实用新型提供一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路,包括DAC芯片、偏置电路和像元电路,所述偏置电路包括若干参考元电阻ROA、若干第二参考元电阻ROB、若干第二偏置MOS管PMOS、若干第二偏置MOS管NMOS,所述参考元电阻ROA的一端与偏置电压VDETP相连,所述参考元电阻ROA的另一端与第二偏置MOS管PMOS的源极相连,所述参考元电阻ROA与所述第二偏置MOS管PMOS一一对应,所述第二偏置MOS管PMOS的漏极和所述第二偏置MOS管NMOS的漏极相连,各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与DAC芯片相连,各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与像元电路的偏置电压Vgsk接口相连,所述第二偏置MOS管NMOS的源极通过第二参考元电阻ROB与偏置电压VDETN相连,各所述第二参考元电阻ROB并联,各所述第二偏置MOS管NMOS的栅极均与像元电路的偏置电压Vgfid接口相连,各所述第二偏置MOS管NMOS的漏极均与像元电路的偏置电压Vgfid接口相连。
作为优选,所述像元电路包括有效元偏置电路、参考元偏置电路、时序控制开关电路、积分电容C,所述有效元偏置电路包括有效元电阻RA、第一偏置MOS管PMOS,第一偏置MOS管PMOS的源极通过有效元电阻RA与偏置电压VDETP相连,第一偏置MOS管PMOS的栅极与偏置电路的偏置电压Vgsk接口相连,第一偏置MOS管PMOS的漏极通过时序控制开关电路与积分电容C相连。
作为优选,所述参考元偏置电路包括第一参考元电阻ROB、第一偏置MOS管NMOS,第一偏置MOS管NMOS的源极通过参考元电阻ROB与偏置电压VDETN相连,第一偏置MOS管NMOS的栅极与偏置电路的偏置电压Vgfid接口相连,第一偏置MOS管NMOS的漏极通过时序控制开关电路与积分电容C相连。
作为优选,所述时序控制开关电路包括时序控制开关S1、时序控制开关S2,所述第一偏置MOS管PMOS的漏极和所述第二偏置MOS管NMOS的漏极依次串联时序控制开关S1、时序控制开关S2后与缓冲器buffer相连,所述积分电容C与所述时序控制开关S2的输入端相连。
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