[实用新型]一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路

权利要求书

1.一种帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：包括DAC芯片、偏置电路和像元电路，所述偏置电路包括若干参考元电阻ROA、若干第二参考元电阻ROB、若干第二偏置MOS管PMOS、若干第二偏置MOS管NMOS，所述参考元电阻ROA的一端与偏置电压VDETP相连，所述参考元电阻ROA的另一端与第二偏置MOS管PMOS的源极相连，所述参考元电阻ROA与所述第二偏置MOS管PMOS一一对应，所述第二偏置MOS管PMOS的漏极和所述第二偏置MOS管NMOS的漏极相连，各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与DAC芯片相连，各所述第二偏置MOS管PMOS的栅极与像元电路的偏置电压Vgsk接口相连，所述第二偏置MOS管NMOS的源极通过第二参考元电阻ROB与偏置电压VDETN相连，各所述第二参考元电阻ROB并联，各所述第二偏置MOS管NMOS的栅极均与像元电路的偏置电压Vgfid接口相连，各所述第二偏置MOS管NMOS的漏极均与像元电路的偏置电压Vgfid接口相连。

2.如权利要求1所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述像元电路包括有效元偏置电路、参考元偏置电路、时序控制开关电路、积分电容C，所述有效元偏置电路包括有效元电阻RA、第一偏置MOS管PMOS，第一偏置MOS管PMOS的源极通过有效元电阻RA与偏置电压VDETP相连，第一偏置MOS管PMOS的栅极与偏置电路的偏置电压Vgsk接口相连，第一偏置MOS管PMOS的漏极通过时序控制开关电路与积分电容C相连。

3.如权利要求2所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述参考元偏置电路包括第一参考元电阻ROB、第一偏置MOS管NMOS，第一偏置MOS管NMOS的源极通过参考元电阻ROB与偏置电压VDETN相连，第一偏置MOS管NMOS的栅极与偏置电路的偏置电压Vgfid接口相连，第一偏置MOS管NMOS的漏极通过时序控制开关电路与积分电容C相连。

4.如权利要求3所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述时序控制开关电路包括时序控制开关S1、时序控制开关S2，所述第一偏置MOS管PMOS的漏极和所述第二偏置MOS管NMOS的漏极依次串联时序控制开关S1、时序控制开关S2后与缓冲器buffer相连，所述积分电容C与所述时序控制开关S2的输入端相连。

5.如权利要求4所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述时序控制开关电路还包括时序控制开关S1B，所述时序控制开关S1B的一端与时序控制开关S1的输入端相连，所述时序控制开关S1B的另一端与积分电容消隐期复位电压VREF相连。

6.如权利要求5所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述时序控制开关电路还包括时序控制开关S3，所述时序控制开关S3的一端与时序控制开关S1的输出端相连，所述时序控制开关S3的另一端与积分电容消隐期复位电压VREF相连。

7.如权利要求3所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述参考元电阻ROA、所述第一参考元电阻ROB、所述第二参考元电阻ROB、所述有效元电阻RA的结构相同，阻值大小相同。

8.如权利要求3所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述有效元电阻RA位于第一参考元电阻ROB物理结构上方，所述参考元电阻ROA位于第二参考元电阻ROB物理结构上方。

9.如权利要求3所述的帧积分光电成像处理电路的偏置电路，其特征在于：所述参考元电阻ROA、所述第二偏置MOS管PMOS、所述第二偏置MOS管NMOS的个数均为N个，所述第二参考元电阻ROB的个数为M个，M大于N。