[实用新型]一种全桥下管驱动电路及其驱动器

说明书

本实用新型提供一种全桥下管驱动电路及其驱动器，包括第一MOS管的栅极连接第一MOS管的漏极和第一电阻的一端，所述第一MOS管的源极连接第二MOS管的漏极，第二MOS管的栅极连接第五MOS管的栅极和驱动右侧下管的栅极控制信号，第二MOS管的源极分别连接第三MOS管的源极和电源地，第三MOS管的漏极分别连接第五MOS管的漏极、驱动右侧下管的栅极控制信号、第一电阻的另一端、第四MOS管的栅极、电流源的输出端和第三反相器的输入端，第三MOS管的栅极连接第三反相器的输出端，第四MOS管的源极连接电源地，第四MOS管的漏极连接驱动右侧输出信号和电流源的输入端，第五MOS管的源极连接供电电压。驱动器换向时降低电源上的波动,提高了上管的可靠性。

技术领域

本实用新型属于电子技术领域，尤其涉及一种全桥下管驱动电路及其驱动器。

背景技术

现有的全桥驱动器在进行换向时，由于电感电流不能突变，导致电感电流会通过上管的体二极管进入到供电系统，这个经过体二极管的续流存在两个缺点，一是导致电源电压存在过冲电压，当过冲电压较高时可能会损坏电源上的其他电路；二是由于工艺的偏差，当上管到衬底的寄生PNP存在漏电时，这个续流会有一部分流向芯片衬底，导致上管烧毁。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种全桥下管驱动电路及其驱动器，旨在解决现有的全桥驱动器进行换向时经过上管体二极管的续流致电源电压存在过冲电压可能会损坏电源上的其他电路，或者续流会有一部分流向芯片衬底，导致上管烧毁问题。

第一方面，本实用新型提供了一种全桥下管驱动电路，包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1和第三反相器X3；所述第一MOS管M1的栅极连接第一MOS管M1的漏极和第一电阻R1的一端，所述第一MOS管M1的源极连接第二MOS管M2的漏极，第二MOS管M2的栅极连接第五MOS管M5的栅极和驱动右侧下管的栅极控制信号LSG2_pre，第二MOS管M2的源极分别连接第三MOS管M3的源极和电源地GND，第三MOS管M3的漏极分别连接第五MOS管M5的漏极、驱动右侧下管的栅极控制信号LSG2_pre、第一电阻R1的另一端、第四MOS管M4的栅极、电流源I1的输出端和第三反相器X3的输入端，第三MOS管M3的栅极连接第三反相器X3的输出端，第四MOS管M4的源极连接电源地GND，第四MOS管M4的漏极连接驱动右侧输出信号OUT2和电流源I1的输入端，第五MOS管M5的源极连接供电电压VCC。

第二方面，本实用新型提供了一种驱动器，所述驱动器包括所述的全桥下管驱动电路。

在实用新型中，全桥下管驱动电路中的R1可以设定LSG2的大小，调节通过第四MOS管M4的大小，使续流大部分经过右侧下管，显著地减小了经过上管体二极管的续流，降低了电源上的波动；同时也显著降低了续流通过上管寄生PNP流入到衬底的可能性，提高了上管的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型一实施例提供的一种全桥下管驱动电路的原理图。

图2是本实用新型一实施例提供的另一种全桥下管驱动电路的原理图。

图3是本实用新型一实施例提供的一种换向后全桥下管驱动电路的原理图。

图4是本实用新型一实施例提供的图3中全桥下管驱动电路的部分电压电流的波形图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

为了说明本实用新型所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。