[实用新型]一种高压MOSFET新型晶体管器件终端结构

说明书

本实用新型涉及MOSFET管技术领域，公开了一种设计尺寸合理且稳定的高压MOSFET新型晶体管器件终端结构，包括N++衬底(101)，N‑外延层(102)设置在N++衬底(101)的内表面；在N‑外延层(102)的内表面的上端两侧设置有P‑结区(102b)及N+结区(102a)，在P‑结区(102b)及N+结区(102a)之间还设置有P‑‑结区(102e)，P‑‑结区(102e)与N+结区(102a)的截止间距设置为35um‑40um，P‑‑结区(102e)的尺寸设置为68um‑70um，P‑‑结区(102e)的结深设置为7um‑8um。

技术领域

本实用新型涉及MOSFET管技术领域，更具体地说，涉及一种高压MOSFET新型晶体管器件终端结构。

背景技术

晶体管器件的结终端扩展结构，对终端环注入剂量和环结深有明确的要求，一旦结深或注入剂量发生波动，便会出现反压降低或反压漏电等严重影响；而VLD终端变掺杂终端结构又对变掺杂注入窗口尺寸、终端结与主结间距、注入剂量等参数有严格的限定要求，和结终端扩展终端一样，这些设计或工艺数据发生变化都会出现反压降低或反压漏电等不利影响；以上几大类终端都在设计尺寸或工艺参数上都有严格的限定范围且波动范围要求较小，但凡设计尺寸或工艺波动都会造成反压参数的严重降低或反压漏电成指数极增加而产品失效。

因此，如何合理配置终端的设计尺寸成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述设计或工艺数据发生变化都会出现反压降低或反压漏电等不利影响及设计尺寸或工艺波动都会造成反压参数的严重降低或反压漏电成指数极增加而产品失效的缺陷，提供一种设计尺寸合理且稳定的高压MOSFET新型晶体管器件终端结构。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种高压MOSFET新型晶体管器件终端结构，具备：

N++衬底，其配置于MOSFET管的底部；

N-外延层，其设置在所述N++衬底的内表面；其中，

在所述N-外延层的内表面的上端两侧设置有P-结区及N+结区，

在所述P-结区及所述N+结区之间还设置有P--结区，

所述P--结区与所述N+结区的截止间距设置为35um-40um，

所述P--结区的尺寸设置为68um-70um，

所述P--结区的结深设置为7um-8um。

在一些实施方式中，所述P--结区与所述N+结区的截止间距设置为37.5um，

所述P--结区的尺寸设置为69um，

所述P--结区的结深设置为7.5um。

在一些实施方式中，所述P-结区与所述P--结区部分层叠，形成重复区。

在一些实施方式中，所述P-结区与所述N++衬底之间形成有穿过所述N-外延层的沟道；

所述N+结区与所述N++衬底之间形成有穿过所述N-外延层的沟道。

在一些实施方式中，在所述N-外延层的上表面设置有栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成有多晶硅层。