[发明专利]电子器件软错误率评估方法、装置和计算机设备

权利要求书

1.一种电子器件软错误率评估方法，其特征在于，所述方法包括：

获取电子器件的封装材料释放的粒子的通量-能量谱；

对所述电子器件进行反向分析，确定所述电子器件的有源区至所述封装材料之间的介质属性信息；

根据所述通量-能量谱以及所述介质属性信息，确定所述电子器件在所述有源区的粒子通量-有效线性能量转移值谱；

获取对所述电子器件进行辐照试验获得的所述电子器件的单粒子效应截面值-有效线性能量转移值谱；

对所述粒子通量-有效线性能量转移值谱和所述单粒子效应截面值-有效线性能量转移值谱进行运算，确定所述电子器件的软错误率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取电子器件的封装材料释放的粒子的通量-能量谱，包括：

对所述封装材料进行制样，获得制样样本；

采用阿尔法粒子表面发射测量装置，对所述制样样本进行试验测量，获取所述封装材料释放的粒子的通量-能量谱；

或，

建立所述封装材料的封装材料仿真模型；

对所述封装材料仿真模型进行仿真，使所述封装材料仿真模型发射粒子，并提取所述封装材料仿真模型发射的粒子的出射参数；

根据所述粒子的出射参数确定所述封装材料释放的粒子的通量-能量谱。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质属性信息包括：介质层、各介质层的介质厚度信息以及介质成份信息；

所述根据所述通量-能量谱以及所述介质属性信息，确定所述电子器件在所述有源区的粒子通量-有效线性能量转移值谱，包括：

根据所述介质属性信息建立所述有源区的仿真模型，所述有源区的仿真模型包括有源区层和各所述介质层；

根据所述通量-能量谱对所述有源区的仿真模型进行仿真，将所述通量-能量谱对应的粒子入射所述有源区的仿真模型的介质层，并在所述有源区的仿真模型的有源区层的表面获得粒子特性信息，所述粒子特性信息包括关联的有源区表面能量、出射角度以及粒子通量；

基于所述粒子特性信息，确定所述有源区的粒子通量-有效线性能量转移值谱。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述粒子特性信息，确定所述有源区的粒子通量-有效线性能量转移值谱，包括：

基于所述有源区表面能量、出射角度，确定所述有源区的有效线性能量转移值；

基于所述粒子通量和所述有源区的有效线性能量转移值，确定所述有源区的粒子通量-有效线性能量转移值谱。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述有源区表面能量、出射角度，确定所述有源区的有效线性能量转移值，包括：

基于粒子的种类以及所述有源区表面能量，确定线性能量转移值；

将所述线性能量转移值与所述出射角度的余弦值相除，确定所述有源区的有效线性能量转移值。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述粒子通量-有效线性能量转移值谱和所述单粒子效应截面值-有效线性能量转移值谱进行运算，确定所述电子器件的软错误率，包括：

将所述粒子通量-有效线性能量转移值谱和所述单粒子效应截面值-有效线性能量转移值谱进行积分，获得所述电子器件的软错误率。

7.一种电子器件软错误率评估装置，其特征在于，所述装置包括：

通量-能量谱确定模块，用于获取所述电子器件的封装材料释放的粒子的通量-能量谱；

介质属性信息确定模块，用于对所述电子器件进行反向分析，确定所述电子器件的有源区至所述封装材料之间的介质属性信息；

有源区信息确定模块，用于根据所述通量-能量谱以及所述介质属性信息，确定所述电子器件在所述有源区的粒子通量-有效线性能量转移值谱；

电子器件信息获取模块，用于获取对所述电子器件进行辐照试验获得的所述电子器件的单粒子效应截面值-有效线性能量转移值谱；

软错误率确定模块，用于对所述粒子通量-有效线性能量转移值谱和所述单粒子效应截面值-有效线性能量转移值谱进行运算，确定所述电子器件的软错误率。