[发明专利]半导体器件的终端结构版图

权利要求书

1.一种半导体器件的终端结构版图，其特征在于，包括：

并排设置的有源区及浅沟槽隔离区；

栅极结构区，横跨所述有源区和所述浅沟槽隔离区；

场板区，横跨所述有源区和所述浅沟槽隔离区，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述有源区内，所述第二部分从所述第一部分的端部延伸至所述浅沟槽隔离区内，所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度，以使所述栅极结构区仅覆盖所述第一部分的部分宽度；

第一电连接区，位于所述浅沟槽隔离区内的所述栅极结构区内。

2.如权利要求1所述的半导体器件的终端结构版图，其特征在于，所述有源区和所述浅沟槽隔离区的交界处与所述第一部分的边缘具有第一间隙。

3.如权利要求2所述的半导体器件的终端结构版图，其特征在于，所述第一间隙的宽度为0.5µm~1.5µm，所述第二部分的宽度为0.5µm~1.0µm。

4.如权利要求1所述的半导体器件的终端结构版图，其特征在于，还包括位于所述有源区内的第二电连接区及第三电连接区，所述场板区位于所述栅极结构区与所述第二电连接区之间，且所述第二电连接区与所述场板区之间具有第二间隙，所述第三电连接区位于相邻的所述栅极结构区之间。

5.如权利要求4所述的半导体器件的终端结构版图，其特征在于，还包括位于所述有源区内的源区和漏区，所述源区和所述漏区分别位于所述栅极结构区的两侧，且所述第二电连接区位于所述漏区内，所述第三电连接区位于所述源区内。

6.如权利要求4所述的半导体器件的终端结构版图，其特征在于，所述第一电连接区、所述第二电连接区及所述第三电连接区中均包括多个并列设置的接触孔区。

7.如权利要求4所述的半导体器件的终端结构版图，其特征在于，还包括：

隔离区，横跨所述有源区和所述浅沟槽隔离区，所述隔离区位于所述栅极结构区和所述第二电连接区之间，且还覆盖所述场板区的部分宽度。

8.如权利要求7所述的半导体器件的终端结构版图，其特征在于，所述隔离区的形状为矩形。

9.如权利要求8所述的半导体器件的终端结构版图，其特征在于，所述隔离区的长度为0.5µm~2.5µm，所述隔离区的宽度为0.25µm~0.6µm，所述隔离区和所述栅极结构区之间的间距为0.1µm~0.3µm。

10.如权利要求7所述的半导体器件的终端结构版图，其特征在于，还包括硅化物阻挡区，位于所述隔离区和所述场板区之外的区域。