[发明专利]一种高纯碳的制备方法有效
| 申请号： | 202111531064.0 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114195120B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 赵科湘;莫建新 | 申请（专利权）人： | 株洲科能新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 钟丹 |
| 地址： | 412000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 制备 方法 | ||
1.一种高纯碳的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：将糖晶体置于高压反应釜中，抽真空后，再通入保护气氛，使得压力达到1～10MPa后，再升温至150～250℃，保温10～100h进行高压低温预碳化获得预碳化产物，再进行碳化处理获得碳粉，再将碳粉压制成型，获得碳块，然后将碳块进行高温除杂处理，即得高纯碳；所述碳化处理在保护气氛下进行，所述碳化处理的温度为600-1200℃、碳化处理的时间1～10h。
2.根据权利要求1所述的一种高纯碳的制备方法，其特征在于：所述糖晶体的获取过程为：将含可溶性糖的溶液通过离子交换树脂，除杂，获得糖液，将糖液蒸发结晶获得糖晶体。
3.根据权利要求2所述的一种高纯碳的制备方法，其特征在于：
所述可溶性糖选自蔗糖、葡萄糖、果糖和麦芽糖中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的一种高纯碳的制备方法，其特征在于：将糖晶体置于高压反应釜中，抽真空后，再通入保护气氛，使得压力达到3～8MPa后，再升温至200～250℃，保温10～20h进行高压低温预碳化获得预碳化产物。
5.根据权利要求1所述的一种高纯碳的制备方法，其特征在于：
所述碳化处理的温度为800-1000℃、碳化处理的时间为4～8h。
6.根据权利要求1所述的一种高纯碳的制备方法，其特征在于：将碳块置于真空高频感应炉中进行高温除杂处理。
7.根据权利要求1或6所述的一种高纯碳的制备方法，其特征在于：所述高温除杂处理在真空环境下进行，高温除杂处理的压力为0.01～0.0001Pa、高温除杂处理的温度为1800～2500℃、高温除杂处理的时间为1～8h。
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