[发明专利]一种发射率测量装置的校准方法

权利要求书

1.一种发射率测量装置的校准方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、根据需要得到的标准氧化膜的发射率E_理论，计算得到标准氧化膜的厚度d；根据氧化膜的厚度d确定电解液的质量浓度c；

步骤2、以质量浓度c的电解液对作为阳极的铝片进行电化学氧化，在铝片表面制备得到标准氧化膜；

步骤3、采用傅里叶红外光谱发射率测量装置检测制备得到的所述标准氧化膜的发射率E_测，E_测作为所述标准氧化膜的标准发射率；

步骤4、用所述发射率测量装置测量采用步骤1至步骤3的方法制备得到的一系列已知标准发射率的标准氧化膜，通过测得的数值与标准发射率进行比较，以校准所述发射率测量装置；

所述步骤1中，运用反射率R和发射率E_理论的关系计算标准氧化膜的厚度d，反射率R、标准氧化膜的厚度d和发射率E_理论的关系如下：

其中，R为反射率，δ为膜位相厚度，η₀为传递介质的折射率，Y为标准氧化膜的导纳，d为制得的标准氧化膜的厚度，η₁为标准氧化膜的折射系数，η₂为基底的折射系数，λ为入射光波长，r为振幅反射系数，r*为r的伴随矩阵，h为普朗克常量，k是玻尔兹曼常数，c为光速；

所述步骤1中，标准氧化膜的厚度d与电解液的质量浓度c符合下述公式：

其中，d的单位是μm。

2.根据权利要求1所述的发射率测量装置的校准方法，其特征在于，所述步骤2中，将铝片进行电化学氧化之前还包括铝片的预处理，铝片的预处理包括如下步骤：

S1、将铝片退火，自然冷却至室温后取出；

S2、将铝片清洗以除去铝片表面的氧化膜。

3.根据权利要求1所述的发射率测量装置的校准方法，其特征在于，所述步骤2中，采用高纯镜面铝片。

4.根据权利要求2所述的发射率测量装置的校准方法，其特征在于，所述S1中，将铝片放入管式炉中，在氩气环境中退火，退火温度350～400℃，退火时间1～1.5h。

5.根据权利要求2所述的发射率测量装置的校准方法，其特征在于，所述S2中，铝片清洗包括：将铝片在丙酮中超声清洗，然后用无水乙醇浸泡超声清洗，再用去离子水冲洗去除表面残留的乙醇，然后将处理过后的铝片在氢氧化钠溶液中浸泡处理，然后取出铝片后用去离子水冲洗。

6.根据权利要求1所述的发射率测量装置的校准方法，其特征在于，所述步骤2中，电化学氧化过程中，以硫酸溶液为电解液。

7.根据权利要求1所述的发射率测量装置的校准方法，其特征在于，所述步骤2中，电化学氧化过程中，阳极电流密度D_k为20mA/cm²；温度为室温；时间5～10min。

8.根据权利要求1-7任一项所述的发射率测量装置的校准方法，其特征在于，所述步骤2中，电化学氧化过程结束后，将铝片取出，并用去离子水反复冲洗。