[发明专利]N型二硒化钨负电容场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供栅电极层和二硒化钨半导体；

通过原子沉积工艺在所述栅电极层上沉积厚度为19~21nm的氧化铪锆铁电薄膜；

通过原子沉积工艺在所述氧化铪锆铁电薄膜上沉积厚度为1~3nm的氧化铝电容匹配层；

对所述氧化铪锆铁电薄膜和所述氧化铝电容匹配层进行热处理，以提高铁电性；

将所述二硒化钨半导体转移至所述氧化铝电容匹配层上；

在所述二硒化钨半导体上形成金属铟源电极和金属铟漏电极。

2.根据权利要求1所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过原子沉积工艺在所述栅电极层上沉积厚度为19~21nm的氧化铪锆铁电薄膜，包括：

通过四（二甲氨基）铪提供铪原子，通过四（二甲氨基）锆提供锆原子，通过水提供氧原子。

3.根据权利要求1或2所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过原子沉积工艺在所述栅电极层上沉积厚度为19~21nm的氧化铪锆铁电薄膜的温度条件为225~275摄氏度。

4.根据权利要求1所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过原子沉积工艺在所述氧化铪锆铁电薄膜上沉积厚度为1~3nm的氧化铝电容匹配层，包括：

通过三甲基铝提供铝原子，通过水提供氧原子。

5.根据权利要求1或4所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过原子沉积工艺在所述氧化铪锆铁电薄膜上沉积厚度为1~3nm的氧化铝电容匹配层的温度条件为275~325摄氏度。

6.根据权利要求1所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述氧化铪锆铁电薄膜和所述氧化铝电容匹配层进行热处理的温度条件为475~525摄氏度。

7.根据权利要求6所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述氧化铪锆铁电薄膜和所述氧化铝电容匹配层进行热处理的时间条件为55~65秒。

8.根据权利要求6或7所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述氧化铪锆铁电薄膜和所述氧化铝电容匹配层进行热处理的环境条件为氮气。

9.根据权利要求1所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅电极层为P型深掺杂硅基底，所述N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法还包括对所述栅电极层进行清洗。

10.一种N型二硒化钨负电容场效应晶体管，其特征在于，包括：

栅电极层；

氧化铪锆铁电薄膜，厚度为19~21nm，设置于所述栅电极层的一面；

氧化铝电容匹配层，厚度为1~3nm，设置于所述氧化铪锆铁电薄膜背向所述栅电极层的一面；

二硒化钨半导体，设置于所述氧化铝电容匹配层背向所述氧化铪锆铁电薄膜的一面；

金属铟源电极，设置于所述二硒化钨半导体背向所述氧化铝电容匹配层的一面；

金属铟漏电极，设置于所述二硒化钨半导体背向所述氧化铝电容匹配层的一面。

11.根据权利要求10所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管，其特征在于，所述栅电极层为P型深掺杂硅基底。

12.根据权利要求10所述的N型二硒化钨负电容场效应晶体管，其特征在于，所述金属铟源电极和所述金属铟漏电极的厚度均为39~41nm。