[发明专利]缺陷检测方法、存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供表面具有堆叠结构的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂类型，所述堆叠结构中形成有贯穿至所述半导体衬底的沟道通孔，所述沟道通孔的底部形成有半导体层；

将所述半导体层掺杂，以使所述半导体层具有第二掺杂类型，所述半导体层与所述半导体衬底接触，以形成PN结；

测试所述PN结的电性，以表征所述半导体层中的缺陷。

2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述半导体层为选择性外延生长硅层。

3.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，测试所述PN结的电性，以表征所述半导体层中的缺陷，包括：

在所述沟道通孔中的所述半导体层上形成导体层；

将所述PN结导通；

通过测量所述导体层的电流值，得到所述PN结的理想因子；

根据所述理想因子，表征所述半导体层中是否存在缺陷。

4.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，根据所述理想因子，表征所述半导体层中是否存在缺陷，包括：

在所述理想因子大于1的情况下，表征所述半导体层中存在缺陷；

在所述理想因子等于1的情况下，表征所述半导体层中不存在缺陷。

5.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷检测方法还包括表征位于不同所述沟道通孔底部的所述半导体层中缺陷数量的步骤：

获取不同所述半导体层对应的所述PN结的理想因子；

将所述理想因子由大到小排序，与各所述理想因子对应的所述半导体层中缺陷的数量按照顺序递减。

6.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，形成所述导体层的材料包括金属W、Al、Cu、Ti、Ag、Au、Pt和Ni中的任一种或多种。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的缺陷检测方法，其特征在于，

所述第一掺杂类型为N型，采用P型掺杂剂离子将所述半导体层掺杂，以使所述半导体层具有所述第二掺杂类型，所述P型掺杂剂离子包括B、Al、Ga和In中的任一种或多种；或

所述第一掺杂类型为P型，采用N型掺杂剂离子将所述半导体层掺杂，以使所述半导体层具有所述第二掺杂类型，所述N型掺杂剂离子包括P、As、N和Sb中的任一种或多种。

8.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供表面具有堆叠结构的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂类型，所述堆叠结构包括沿远离所述半导体衬底的方向交替层叠的牺牲层和隔离层；

在所述堆叠结构中形成贯穿至所述半导体衬底的沟道通孔，并在所述沟道通孔的底部形成半导体层；

采用权利要求1至7中任一项所述的缺陷检测方法表征所述半导体层中是否存在缺陷；

在表征所述半导体层中不存在缺陷的情况下，在所述沟道通孔中形成与所述半导体层接触的存储结构；

去除所述牺牲层，并在对应所述牺牲层的位置形成栅极结构。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，去除所述牺牲层，并在对应所述牺牲层的位置形成栅极结构，包括：

形成贯穿所述堆叠结构至所述半导体衬底的栅极隔槽；

将所述牺牲层置换为栅极结构；

在所述栅极隔槽中形成共源极。

10.一种存储器，其特征在于，包括：

表面具有栅极堆叠结构的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一掺杂类型，所述堆叠结构包括沿远离所述半导体衬底的方向交替层叠的栅极结构和隔离层；

沟道通孔，贯穿所述堆叠结构至所述半导体衬底；

半导体层，设置于所述沟道通孔的底部，所述半导体层具有第二掺杂类型，且所述半导体层通过与所述半导体衬底接触形成PN结；

存储结构，设置于所述沟道通孔中并与所述半导体层接触。