[发明专利]具有抑制端口反向漏电功能的输出电路

权利要求书

1.具有抑制端口反向漏电功能的输出电路，其特征在于、包括电源(VDD)、两输入或非门(NOR2)、两输入与非门(NAND2)、中间电平线(VA)、第一信号线(A1)、第二信号线(A2)、输出端(OUT)、P型MOS管一(P1)、P型MOS管二(P2)、P型MOS管三(P3)、P型MOS管四(P4)、P型MOS管五(P5)、P型MOS管六(P6)、P型MOS管七(P7)、P型MOS管八(P8)、P型MOS管九(P9)、N型MOS管一(N1)、N型MOS管二(N2)、N型MOS管三(N3)、N型MOS管四(N4)、N型MOS管五(N5)、N型MOS管六(N6)和N型MOS管七(N7)；所述P型MOS管一(P1)、P型MOS管二(P2)、P型MOS管三(P3)、P型MOS管四(P4)、P型MOS管五(P5)、P型MOS管六(P6)、P型MOS管七(P7)、P型MOS管八(P8)和P型MOS管九(P9)均有栅极、第一源漏极、第二源漏极和衬底极，P型MOS管二(P2)、P型MOS管三(P3)、P型MOS管四(P4)、P型MOS管六(P6)和P型MOS管七(P7)的衬底极均与第一源漏极相连；所述N型MOS管一(N1)、N型MOS管二(N2)、N型MOS管三(N3)、N型MOS管四(N4)、N型MOS管五(N5)、N型MOS管六(N6)和N型MOS管七(N7)也均有栅极、第一源漏极、第二源漏极和衬底极，N型MOS管的衬底极均接地，N型MOS管六(N6)的第一源漏极、N型MOS管五(N5)的第一源漏极、N型MOS管一(N1)的第一源漏极、N型MOS管二(N2)的第一源漏极、N型MOS管三(N3)的第一源漏极、N型MOS管四(N4)的第一源漏极均接地；所述两输入或非门(NOR2)的一个输入口通过导线连接有使能信号端口，且使能信号端口与两输入或非门(NOR2)间串联有倒相器一(INV1)，两输入或非门(NOR2)的另一个输入口通过导线连接有逻辑输入信号端口；所述使能信号端口与倒相器一(INV1)间的那段导线分别与两输入与非门(NAND2)的一个输入口和N型MOS管四(N4)的栅极相连，所述逻辑输入信号端口与两输入或非门(NOR2)间的那段导线与两输入与非门(NAND2)的另一个输入口相连；所述两输入或非门(NOR2)的输出口分别与P型MOS管七(P7)和N型MOS管七(N7)的栅极相连；所述两输入与非门(NAND2)的输出口分别与P型MOS管八(P8)、P型MOS管九(P9)、N型MOS管五(N5)和N型MOS管六(N6)的栅极相连；所述电源(VDD)分别与P型MOS管九(P9)的衬底极、P型MOS管六(P6)的第二源漏极、P型MOS管一(P1)的第二源漏极、P型MOS管四(P4)的第二源漏极、P型MOS管三(P3)的第二源漏极相连，电源(VDD)串联第一电阻(R1)后与P型MOS管二(P2)的栅极相连，电源(VDD)串联第二电阻(R2)后与P型MOS管五(P5)的栅极相连；所述中间电平线(VA)分别与两输入或非门(NOR2)的供电口、P型MOS管八(P8)的衬底极、P型MOS管六(P6)的栅极、P型MOS管六(P6)的第一源漏极、P型MOS管七(P7)的第一源漏极、P型MOS管一(P1)的衬底极、P型MOS管二(P2)的第一源漏极、P型MOS管四(P4)的第一源漏极、P型MOS管五(P5)的衬底极、P型MOS管三(P3)的第一源漏极相连；所述P型MOS管八(P8)的第二源漏极分别与P型MOS管七(P7)的第二源漏极、P型MOS管一(P1)的栅极、N型MOS管七(N7)的第二源漏极相连；所述P型MOS管八(P8)的第一源漏极分别与P型MOS管九(P9)的第二源漏极、N型MOS管六(N6)的第二源漏极、N型MOS管二(N2)的栅极相连；所述P型MOS管九(P9)的第一源漏极分别与N型MOS管七(N7)的第一源漏极、N型MOS管一(N1)的栅极、N型MOS管五(N5)的第二源漏极相连；所述P型MOS管一(P1)的第一源漏极、N型MOS管一(N1)的第二源漏极、N型MOS管二(N2)的第二源漏极均与所述输出端(OUT)相连；所述P型MOS管二(P2)的第二源漏极、P型MOS管五(P5)的第二源漏极和P型MOS管三(P3)的栅极均与第一信号线(A1)相连，所述N型MOS管三(N3)的栅极通过倒相器二(INV2)后与第一信号线(A1)相连，第一信号线(A1)通过第三电阻(R3)后与输出端(OUT)相连；所述P型MOS管四(P4)的栅极，N型MOS管三(N3)的第二源漏极和N型MOS管四(N4)的第二源漏极均与所述第二信号线(A2)相连；所述P型MOS管五(P5)的第一源漏极与所述第二信号线(A2)相连。

2.如权利要求1所述的具有抑制端口反向漏电功能的输出电路，其特征在于、所述P型MOS管一(P1)、P型MOS管二(P2)、P型MOS管三(P3)、P型MOS管四(P4)、P型MOS管五(P5)、P型MOS管六(P6)、P型MOS管七(P7)、P型MOS管八(P8)、P型MOS管九(P9)、N型MOS管一(N1)、N型MOS管二(N2)、N型MOS管三(N3)、N型MOS管四(N4)、N型MOS管五(N5)、N型MOS管六(N6)和N型MOS管七(N7)均为加强型MOS管。