[发明专利]一种用于植入医疗装置的充放电路在审
| 申请号： | 202111287274.X | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN113991789A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 朱丽青;郑建建;白永恒;郎志超;魏正则 | 申请（专利权）人： | 温州医科大学附属第一医院 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;A61N1/378 |
| 代理公司： | 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33294 | 代理人： | 余冬 |
| 地址： | 325000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 植入 医疗 装置 电路 | ||
1.一种用于植入医疗装置的充放电路，包括n个充放电单元、充电控制开关、电感L、高频滤波电容Cf、放电控制开关和充电控制模块，其特征在于：所述充放电单元由电容Ci、PMOS管和控制单元组成，PMOS管的源极与控制单元以及电容Ci的一端连接，PMOS管的栅极与控制单元连接，电容Ci的另一端接地，控制单元与充电控制模块连接；所述充电控制开关由PMOS管Qin组成，放电控制开关由MOS管和组成；其中，i为充放电单元的位序，且1≤i≤n，当i＝1时，在第一个充放电单元中，PMOS管的源极、电容C1的一端和控制单元均与电感L的一端连接；当1≤in时，在第i个充放电单元中，PMOS管的漏极与第i+1个充放电单元中的PMOS管电容Ci+1的一端以及控制单元连接；当i＝n时，在第n个充放电单元中，PMOS管的漏极与充电控制模块的负极、高频滤波电容Cf的一端以及放电控制开关中的MOS管的源极连接；所述高频滤波电容Cf的另一端接地，在放电控制开关中，MOS管的栅极与MOS管的漏极连接，MOS管的源极接地，MOS管的漏极与电流输出端连接；所述电感L的另一端与充电控制开关的PMOS管Qin的漏极连接，PMOS管Qin的源极与电流输入端连接，PMOS管Qin的栅极与充电控制模块正极连接。
2.根据权利要求1所述的用于植入医疗装置的充放电路，其特征在于：所述充电控制模块输出电压为滞回特性，其输出电压值由模块输出电压状态及充放电单元当前电压决定，输出电压只有两个值，分别为高电压VH和零电压，充电控制开关的PMOS管Qin导通的阈值电压为输入电压为Vd，通过合理设计VH，满足：
3.根据权利要求1所述的用于植入医疗装置的充放电路，其特征在于：所述PMOS管的栅极和源极的导通阈值电压为输出电压为Vo，其满足：和
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