[发明专利]一种抑制静电释放的光罩及其制作方法

说明书

本申请实施例公开了一种抑制静电释放的光罩及其制作方法，该光罩包括：基板；第一导电层，所述第一导电层位于基板第一表面，并被刻蚀成特定图形；第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面，使得第一导电层中相邻且不相连的线路能够导通，从而当光罩的第一导电层存在静电时，能够使得所述光罩中的所述第一导电层中相邻且不相连的线路中的静电发生中和，消除掉所述第一导电层中相邻且不相连的线路中的大部分静电，从而有助于消除所述光罩的所述第一导电层中相邻且不相连的线路上的大部分静电，抑制所述光罩发生静电释放，有助于避免光罩上的图形由于发生静电释放被破坏，有助于保证光罩的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种抑制静电释放的光罩及其制作方法。

背景技术

微影制程技术是指以光源、电子束或离子束，经由光罩对晶圆上的阻剂进行照射，使得晶圆上的阻剂极性变化，再经显影，将光罩上的特定图形转移到晶圆上，形成芯片，使得光罩的可靠性对形成的芯片的质量具有至关重要的作用。

通常情况下，光罩的组成包括玻璃基板以及位于基板上具有特定图形的金属导电层。当光罩的金属导电层由于某种原因存在静电积累时，由于玻璃基板为绝缘体，不能够将积累的静电导离，当积累的静电强度达到一定程度时，会发生静电释放，破环光罩上的金属导电层的图形，进而损坏光罩。因此，提供一种能够抑制静电释放的光罩，成为了本领域技术人员的研究重点。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种抑制静电释放的光罩，该光罩能够消除光罩上积累的绝大多数静电，防止光罩积累过多的静电，抑制静电释放，有助于避免光罩上的图形由于发生静电释放被破坏，进而有助于保证光罩的可靠性。

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种抑制静电释放的光罩，包括：

基板；

第一导电层，所述第一导电层位于所述基板第一表面，并被刻蚀成预设形状，其中，所述第一导电层为金属导电层；

第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面，其中，所述第二导电层为导电薄膜。

可选的，所述第二导电层的电阻率小于1×10^-3Ω·cm，所述第二导电层的透光率不低于80％。

可选的，所述第二导电层的厚度的取值范围为100埃～1000埃，包括端点值。

可选的，所述第二导电层的材料为SnO₂、In₂O₃、ZnO中的一种。

可选的，所述基板为玻璃基板，所述基板的透光率不低于80％。

并且，本申请还提供了一种抑制静电释放的光罩的制作方法，包括：

在所述基板第一表面形成具有预设形状的第一导电层，其中，所述第一导电层为金属导电层；

形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面，其中，所述第二导电层为导电薄膜。

可选的，在所述基板第一表面形成具有预设形状的所述第一导电层包括：

在所述基板第一表面形成导电材料层，刻蚀所述导电材料层，形成具有预设形状的所述第一导电层。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：