[发明专利]标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法及对应的碳化硅晶圆

权利要求书

1.一种标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法，其特征在于，包括：对碳化硅晶圆外侧的定位标记的一端或两端进行加工形成倒角；

当只在所述定位标记的一端设置倒角时，设定当所述倒角位于所述定位标记的左端或者右端时，对应的碳化硅晶圆表面为碳极性面或者硅极性面；当在所述定位标记的两端分别设置倒角时，设定当所述定位标记左端的倒角大于右边的倒角或者所述定位标记左端的倒角小于右边的倒角时，对应的碳化硅晶圆表面为碳极性面或者硅极性面。

2.根据权利要求1所述的标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法，其特征在于，所述定位标记为定位边或者Notch槽。

3.根据权利要求2所述的标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法，其特征在于，当碳化硅晶圆以定位边作为定位标记时，当只在所述定位边的一端设置倒角，所述倒角的半径范围为50mm≥R3≥2mm，当在所述定位边的两端分别设置倒角，两个倒角的半径大小不同，其中一个倒角的半径范围为50mm≥R1≥2mm，另一个倒角的半径范围为2mm≥R2≥0mm。

4.根据权利要求2所述的标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法，其特征在于，当碳化硅晶圆以Notch槽作为定位标记时，当只在所述Notch槽的一端设置倒角，所述倒角的半径范围为2mm≥R3≥0.5mm，当在所述Notch槽的两端分别设置倒角，两个倒角的半径大小不同，其中一个倒角的半径范围为2mm≥R1≥0.5mm，另一个倒角的半径范围为0.5mm≥R2≥0mm。

5.根据权利要求1所述的标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法，其特征在于，所述倒角通过砂轮倒角的方式进行加工得到。

6.根据权利要求1所述的标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法，其特征在于，还包括：

当只在所述定位标记的一端设置倒角时，加工形成倒角后，通过图像识别算法识别所述定位标记两端的外形判断所述倒角位于所述定位标记的左端还是右端，从而判定当前的碳化硅晶圆表面是硅极性面或者碳极性面；

当在所述定位标记的两端分别设置倒角时，加工形成倒角后，通过图像识别算法识别所述定位标记两端的外形比较所述定位标记两端倒角的大小，从而判定当前的碳化硅晶圆表面是硅极性面或者碳极性面。

7.一种碳化硅晶圆，其特征在于，所述碳化硅晶圆的外侧包括定位标记，所述定位标记的一端或两端设有倒角；

当所述定位标记的一端设有倒角时，所述倒角位于所述定位标记的左端或右端；当所述定位标记的两端都设有倒角时，所述定位标记两端倒角的半径大小不同。

8.根据权利要求7所述的碳化硅晶圆，其特征在于，所述定位标记为定位边或者Notch槽。

9.根据权利要求8所述的碳化硅晶圆，其特征在于，当碳化硅晶圆以定位边作为定位标记时，当所述定位边只有一端设有倒角，所述倒角的半径范围为50mm≥R3≥2mm；当所述定位边的两端分别设有倒角，其中一个倒角的半径范围为50mm≥R1≥2mm，另一个倒角的半径范围为2mm≥R2≥0mm。

10.根据权利要求8所述的碳化硅晶圆，其特征在于，当碳化硅晶圆以Notch槽作为定位标记时，当所述Notch槽只有一端设有倒角，所述倒角的半径范围为2mm≥R3≥0.5mm，当所述Notch槽的两端都设有倒角，其中一个倒角的半径范围为2mm≥R1≥0.5mm，另一个倒角的半径范围为0.5mm≥R2≥0mm。