[发明专利]高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法

权利要求书

1.一种高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法，其特征在于：高频SiCMOSFET四电平半桥逆变器主电路的输出电流i输入低通滤波器，得到滤波后的电流i^*，滤波后的电流i^*和调制波M输入域划分模块，获得区间号Q，同时，上载波C₁、中载波C₂、下载波C₃和调制波M输入原始驱动脉冲产生模块，获得六路原始驱动信号S₁、S₂、S₃、S₄、S₅、S₆，并输入到冗余脉冲剔除模块，获得六路剔除冗余脉冲的驱动信号S₁^*、S₂^*、S₃^*、S₄^*、S₅^*、S₆^*；六路剔除冗余脉冲的驱动信号S₁^*、S₂^*、S₃^*、S₄^*、S₅^*、S₆^*分别用于驱动六只高频SiCMOSFETT₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆。

2.根据权利要求1所述的高频SiC MOSFET四电半桥平逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法，其特征在于：所述低通滤波器采用二阶巴特沃斯低通滤波器，

二阶巴特沃斯低通滤波器用于滤除输出电流i的高频谐波，获得滤波后的电流i^*，传递函数：

3.根据权利要求1所述的高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法，其特征在于：域划分模块工作过程如下：

输入滤波后的电流i^*、调制波M，获得区间号Q，判断i^*0、M100、M-100的结果，根据判断的结果依次获得如下不同的区间号Q：

1)当i^*0为假“N”且M100为真“Y”，则Q＝1；

2)当i^*0为真“Y”且M100为真“Y”，则Q＝2；

3)当i^*0为假“N”且M100为假“N”且M-100为真“Y”，则Q＝3；

4)当i^*0为真“Y”且M100为假“N”且M-100为真“Y”，则Q＝4；

5)当i^*0为假“N”且M100为假“N”且M-100为假“N”，则Q＝5；

6)当i^*0为真“Y”且M100为假“N”且M-100为假“N”，则Q＝6。

4.根据权利要求1所述的高频SiC MOSFET四电平半桥逆变器的冗余驱动脉冲剔除调制方法，其特征在于：原始驱动脉冲产生模块具体执行过程如下：

1)上载波C₁与调制波M比较生成高低电平变化的S₁，S₁取反生成S₂；

2)中载波C₂与调制波M比较生成高低电平变化的S₃，S₃取反生成S₄；

3)下载波C₃与调制波M比较生成高低电平变化的S₅，S₅取反生成S₆。