[发明专利]一种正型QLED器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种正型QLED器件，包括自下而上依次设置的透明电极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极和封装层；所述第一空穴注入层的材质为碱金属离子掺杂MoO_x；所述碱金属离子包括Li⁺、Na⁺和K⁺中的一种；所述第二空穴注入层的材质为PEDOT：PSS。本发明将空穴注入层设置为两层，通过采用碱金属离子掺杂MoO_x与PEDOT：PSS作为空穴注入材料，利用Li⁺、Na⁺和K⁺中的一种掺杂MoO_x，调节了MoO_x的导带位置，增加了导电性，降低了空穴注入势垒，有利于空穴的注入，从而提高了空穴迁移率，促进电子‑空穴注入平衡，进而提高了器件性能和使用寿命。

技术领域

本发明属于量子点发光二极管技术领域，具体涉及一种正型QLED器件及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(简称QLED)具有在可见光范围内发射波长可调，较窄的半峰宽，亮度高等优点，近年来，其相关领域的研究受到广泛的关注，同时，QLED在下一代平板显示和固态照明等领域也显示了极大的应用潜力。

目前，在构筑QLED器件时，最常采用的空穴注入材料为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐(即PEDOT：PSS)。但PEDOT：PSS由于PSS链的吸湿性和酸性会腐蚀ITO电极，进而影响器件的性能和寿命，为科研工作带来不便。文献(The damaging effects of theacidity in PEDOT:PSS on semiconductor device performance and solutions basedon non-acidic alternatives[J].Materials Horizons,2020,7(7)：1759-1772.)中报道了使用过渡金属氧化物取代PEDOT：PSS能够防止电极降解，降低了PEDOT：PSS对ITO电极的影响，虽然器件的稳定性得到了提高，但由于空穴注入势垒较大，以及低温退火条件下的金属氧化物的电荷传输能力低且薄膜导电性不佳，能级不匹配等因素的影响，引起空穴注入效率低，进而造成器件效率偏低。因此，如何提高QLED器件的空穴迁移率，从而提高器件效率成为亟待解决的难题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种正型QLED器件及其制备方法。本发明提供的正型QLED器件具备优异的空穴迁移率，从而提高了器件的性能和使用寿命。

为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供了一种正型QLED器件，包括自下而上依次设置的透明电极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极和封装层；

所述第一空穴注入层的材质为碱金属离子掺杂MoO_x；所述碱金属离子包括Li⁺、Na⁺和K⁺中的一种；

所述第二空穴注入层的材质为PEDOT：PSS。

优选地，所述透明电极的材质包括ITO或FTO，厚度为80～150nm。

优选地，所述第一空穴注入层的厚度为20～40nm；所述第二空穴注入层的厚度为30～40nm。

优选地，所述空穴传输层的材质为TFB或PVK，厚度为25～35nm。

优选地，所述量子点发光层的材质为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点、CdZnSe/ZnSe/ZnS红光量子点或CdSe/ZnS蓝光量子点，厚度为20～30nm。

优选地，所述电子传输层的材质为ZnO、SnO₂和TiO₂中的至少一种，厚度为25～35nm。