[发明专利]一种正型QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111185304.6 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113809256A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;褚晓甜;蒋晓红;刘源义 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种正型QLED器件，包括自下而上依次设置的透明电极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极和封装层；
所述第一空穴注入层的材质为碱金属离子掺杂MoOx；所述碱金属离子包括Li+、Na+和K+中的一种；
所述第二空穴注入层的材质为PEDOT：PSS。
2.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述透明电极的材质包括ITO或FTO，厚度为80～150nm。
3.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述第一空穴注入层的厚度为20～40nm；所述第二空穴注入层的厚度为30～40nm。
4.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为TFB或PVK，厚度为25～35nm。
5.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述量子点发光层的材质为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点、CdZnSe/ZnSe/ZnS红光量子点或CdSe/ZnS蓝光量子点，厚度为20～30nm。
6.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为ZnO、SnO2和TiO2中的至少一种，厚度为25～35nm。
7.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述顶电极的材质为Al、Ag、Cu、Au和合金中的至少一种，厚度为80～100nm。
8.根据权利要求1所述的正型QLED器件，其特征在于，所述封装层的材质为紫外光固化树脂，厚度为50～100nm。
9.权利要求1～8任意一项所述正型QLED器件的制备方法，包括如下步骤：
在透明电极上采用旋涂的方法制备第一空穴注入层；
在所述第一空穴注入层上采用旋涂的方法制备第二空穴注入层；
在所述第二空穴注入层上采用旋涂的方法制备空穴传输层；
在所述空穴传输层上采用旋涂的方法制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上采用旋涂的方法制备电子传输层；
在所述电子传输层上采用蒸镀的方法制备顶电极；
对所述顶电极进行封装，得到封装层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，制备所述第一空穴注入层时旋涂的转速为3000～5000rpm/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
