[发明专利]存储控制器以及修复其错误的方法在审

专利信息
申请号: 202111171779.X 申请日: 2021-10-08
公开(公告)号: CN114566208A 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 徐珍镐;严相炫;金泽准;郑镇宇;崔恩鉽 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 控制器 以及 修复 错误 方法
【说明书】:

本公开提供了一种存储控制器以及修复其错误的方法。该存储控制器包括:被配置为执行与主机设备的通信的主机接口、被配置为执行与非易失性存储器件的通信的存储器接口、高级控制器和低级控制器。高级控制器基于通过主机接口传送的请求来发出要由非易失性存储器件执行的操作。低级控制器包括操作存储器,该操作存储器被配置为存储操作代码和操作数据。低级控制器基于操作代码和操作数据控制存储器接口,使得非易失性存储器件执行从高级控制器接收的发出操作。当在低级控制器中发生错误时,该高级控制器基于低级控制器的状态信息执行错误修复操作,以将低级控制器修复到与发生所述错误之前的状态相对应的先前状态。

相关申请的交叉引用

于2020年11月27日在韩国知识产权局提交的、标题为“Storage Controller andMethod of Restoring Error of the Same(存储控制器以及修复其错误的方法)”的韩国专利申请No.10-2020-0162164通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例总体上涉及半导体集成电路,更具体地说,涉及存储控制器以及修复存储控制器的错误的方法。

背景技术

半导体存储器件可以被分类为易失性存储器和非易失性存储器。诸如动态随机存取存储(DRAM)器件、静态随机存取存储(SRAM)器件等的易失性存储器会在电源关断时丢失存储的数据。诸如闪存器件、铁电随机存取存储(FRAM)器件、相变随机存取存储(PRAM)器件、磁随机存取存储(MRAM)器件等的非易失性存储器即使在电源关断时也可以保持存储的数据。特别地,诸如闪存的非易失性存储器件可以具有快速编程速度、低功耗、大存储容量等的优点,因此广泛用作需要低功率和大容量的存储设备的各个领域中的存储介质,诸如,MP3播放器、数码相机、固态硬盘(SSD)、嵌入式多媒体卡(EMMC)、计算系统等。

用于控制非易失性存储器件的存储控制器包括各种组件。如果在一个组件中发生错误,则存储在非易失性存储器件中的数据可能丢失,和/或可能在存储系统中引起重大的损坏。

发明内容

实施例针对一种存储控制器,包括:主机接口,所述主机接口被配置为执行与主机设备的通信;存储器接口,所述存储器接口被配置为执行与非易失性存储器件的通信;高级控制器,所述高级控制器被配置为基于通过所述主机接口传送的请求来发出要由所述非易失性存储器件执行的操作;以及低级控制器,所述低级控制器包括操作存储器,所述操作存储器被配置为存储操作代码和操作数据,所述低级控制器被配置为基于所述操作代码和所述操作数据控制所述存储器接口,使得所述非易失性存储器件执行从所述高级控制器接收的发出操作。所述高级控制器可以被配置为:当在所述低级控制器中发生错误时,基于所述低级控制器的状态信息执行错误修复操作,所述错误修复操作将所述低级控制器修复到与发生所述错误之前的状态相对应的先前状态。

实施例还涉及一种修复存储控制器的错误的方法,所述存储控制器包括高级控制器和低级控制器,所述低级控制器包括操作存储器,所述操作存储器存储操作代码和操作数据,并且所述低级控制器被配置为基于所述操作代码和所述操作数据控制执行与非易失性存储器件的通信的存储器接口,使得所述非易失性存储器件执行从所述高级控制器接收的发出操作,所述方法包括:当在所述低级控制器中发生错误时,由所述低级控制器生成中断;由所述高级控制器响应于来自所述低级控制器的所述中断,暂停所述低级控制器的操作,并且存储所述低级控制器的状态信息;以及由所述高级控制器基于所述低级控制器的所述状态信息执行错误修复操作,所述错误修复操作将所述低级控制器修复到与发生所述错误之前的状态相对应的先前状态。

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