[发明专利]发光二极管及制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述发光二极管的制作方法包括：

提供第一衬底，所述第一衬底一侧的表面上包括外延层，所述外延层包括层叠设置的N型外延层、有源层和P型外延层，所述N型外延层靠近所述第一衬底设置；所述P型外延层远离所述第一衬底设置，所述有源层夹设于所述N型外延层和所述P型外延层之间；

图案化所述外延层，形成若干外延块，任意相邻的外延块之间间隔第一间距；

提供第二衬底，所述第二衬底一侧的表面包括第一结合层，转移若干外延块至所述第一结合层上；

提供第三衬底，所述第三衬底一侧的表面包括第二结合层，转移所述第一结合层上的若干外延块至所述第二结合层上，且任意相邻的外延块之间间隔第二间距，所述第二间距大于所述第一间距；以及

于每一外延块远离所述第二结合层一侧的表面上制作微发光二极管的器件结构；

其中，所述第二结合层上每一外延块的P型外延层裸露于远离所述第三衬底的一侧，且所述第二结合层上每一外延块的N型外延层键合于所述第二结合层远离所述第三衬底的一侧；所述器件结构包括欧姆接触层，所述欧姆接触层接触每一外延块的P型外延层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，当所述第一衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或者碳化硅衬底时，则所述N型外延层为N型氮化镓层，所述P型外延层为P型氮化镓层；或者，当所述第一衬底为砷化镓衬底时，则所述N型外延层为N型砷化镓层，所述P型外延层为P型砷化镓层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，提供第二衬底，所述第二衬底一侧的表面包括第一结合层，转移若干外延块至所述第一结合层上的步骤包括：

形成第一结合层于所述第二衬底一侧的表面上；

键合每一外延块的P型外延层与所述第一结合层远离所述第二衬底的一侧；以及

分离所述第一衬底和每一外延块的N型外延层，以使每一外延块的P型外延层转移至所述第一结合层远离所述第二衬底的一侧。

4.根据权利要求3所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，提供第三衬底，所述第三衬底一侧的表面包括第二结合层，转移所述第一结合层上的若干外延块至所述第二结合层上的步骤包括：

形成第二结合层于所述第三衬底一侧的表面上；

键合所述第一结合层上的每一外延块的N型外延层与所述第二结合层远离所述第三衬底的一侧；

定义若干外延块包括若干第一外延块，任意相邻的第一外延块之间间隔所述第二间距；以及

选择性分离每一第一外延块的P型外延层与所述第一结合层，以使每一第一外延块转移至所述第二结合层上远离所述第三衬底的一侧。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，提供第二衬底，所述第二衬底一侧的表面包括第一结合层，转移若干外延块至所述第一结合层上的步骤包括：

形成第一结合层于所述第二衬底一侧的表面上；

键合每一外延块的P型外延层与所述第一结合层远离所述第二衬底的一侧；

定义若干外延块包括若干第二外延块，任意相邻的第二外延块之间间隔所述第二间距；以及

选择性分离所述第一衬底和每一第二外延块的N型外延层，以使所述若干第二外延块转移至所述第一结合层远离所述第二衬底的一侧。

6.根据权利要求5所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，提供第三衬底，所述第三衬底一侧的表面包括第二结合层，转移所述第一结合层上的若干外延块至所述第二结合层上的步骤包括：

形成第二结合层于所述第三衬底一侧的表面上；

键合所述第一结合层上的每一第二外延块的N型外延层与所述第二结合层远离所述第三衬底的一侧；以及

分离每一第二外延块的P型外延层与所述第一结合层，以使每一第二外延块转移至所述第二结合层远离所述第三衬底的一侧。

7.根据权利要求5所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述第一衬底为蓝宝石衬底。