[发明专利]一种CVD系统及制备大尺寸炭／炭复合材料的方法

权利要求书

1.一种CVD系统，包括CVD气相沉积炉，其特征在于，所述CVD气相沉积炉包括炉体、设于炉体内相连通的下加热区及上加热区和贯穿于上下加热区内的料柱组，所述炉体的侧壁内设有分别对上下加热区加热且相连通的第一加热腔和第二加热腔，所述下加热区内设有由下到上依次设置的用于将碳源与氮气的混合气体先向两侧分流输送再向中部汇流以形成分层导流预热空间的第一预热导流机构和用于承载下加热区的坩埚且将第一预热导流机构输送的混合气体沿下加热区坩埚内外侧分流向上输送的第一装料分流机构，所述上加热区设有用于向料柱组补充碳源气体的补气结构和用于承载上加热区的坩埚且将下加热区向上输送的混合气体沿上加热区的坩埚内外侧分流向上输送的第二装料分流机构，所述炉体侧壁设有与第一加热腔联通的氮气进气口。

2.根据权利要求1所述的CVD系统，其特征在于，所述下加热区与上加热区等分所述炉体，所述料柱组内由下到上依次设有多层第一装料分流机构和第二装料分流机构，且位于第一装料分流机构与第二装料分流机构对称设于上下加热区交界线的两侧。

3.根据权利要求2所述的CVD系统，其特征在于，所述料柱组包括包括中心料柱和分布于中心料柱周向的多个环炉壁料柱，所述中心料柱与环炉壁料柱内均设有多个第一装料分流机构和多个第二装料分流机构。

4.根据权利要求3所述的CVD系统，其特征在于，所述补气结构包括向中心料柱补充碳源气体的第一进气孔和分别向多个环炉壁料柱补充碳源气体的多个第二进气孔。

5.根据权利要求1所述的CVD系统，其特征在于，所述第一预热导流机构包括设于炉底预热区且由下到上依次设置的第一引流板和第二引流板，所述第一引流板的两端与填料柱的底端内壁之间具有气体流通间隙，所述第二引流板的两端与填料柱的内壁连接，且第二引流板的中部设有透气通道。

6.根据权利要求1所述的CVD系统，其特征在于，所述第一装料分流机构包括第一支撑分流导气板，所述第一支撑分流导气板上设有分别位于坩埚内外侧的第一内沿导气孔和第一外延导气孔，所述第二装料分流机构包括第二支撑分流导气板，所述第二支撑分流导气板上设有分别位于坩埚内外侧的第二内沿导气孔和第二外延导气孔。

7.根据权利要求1所述的CVD系统，其特征在于，所述坩埚内设有空心石墨工装，且空心石墨工装的两侧与坩埚的内侧壁之间具有气体流通间隙。

8.根据权利要求7所述的CVD系统，其特征在于，所述空心石墨工装包括相卡接的上石墨工装分体结构和下石墨工装分体结构。