[发明专利]以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料的制备方法及产品和应用在审

专利信息
申请号: 202110966047.3 申请日: 2021-08-23
公开(公告)号: CN113755827A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 崔大祥;王敬锋;孙佳伦;陈超;吴晓燕 申请(专利权)人: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;C25B1/04;C25B11/075;C25B11/052;C25B11/061;C25B11/031
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 董梅
地址: 201109 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基底 超薄 二硫化钼 晶体 纳米 复合材料 制备 方法 产品 应用
【权利要求书】:

1.一种以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料的制备方法,其特征在于,通过简单的一步溶剂热合成法,将二硫化钼原位生长于钛网基底上,加强了二硫化钼与基底之间的界面结合,实现了二硫化钼与钛网之间的欧姆接触,包括以下步骤:

a、钛网的预处理:将钛网剪成一定规格的矩形,而后依次用浓盐酸、乙醇、去离子水超声清洗去除表面氧化层,烘干备用;

b、称取一定量的(NH4)2MoS4,加入DMF溶液中,磁力搅拌至完全溶解,将准备好的钛网加入溶液中,并加入一定量的水合联氨,所述的(NH4)2MoS4与水合联氨的摩尔比为2:1~1:2,得混合物;将所述混合物置于超声清洗器中超声震荡30min~60min,而后,放入水热反应釜中,加热至175℃~225℃保温6~24h,进行溶剂热合成;待其自然冷却至室温后,取出水热反应釜中的钛网,使用乙醇和去离子水反复清洗,最后置于烘箱中50℃~80℃烘干24h,即可得以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料。

2.根据权利要求1所述的以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料的制备方法,其特征在于所述的(NH4)2MoS4与水合联氨的摩尔比为1:1。

3.根据权利要求1所述的。以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的水热反应釜温度200℃。

4.根据权利要求1所述的一种以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的水热反应釜加热保温时间为12h。

5.根据权利要求1所述的以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述的烘箱烘干温度为60℃。

6.根据权利要求1至5任一项所述的一种以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料的制备方法,其特征在于,按以下步骤制备:

将钛网剪成一定1cm×2cm的矩形;而后,依次用浓盐酸、乙醇、去离子水超声清洗去除表面氧化层,烘干备用;

称取55mg的(NH4)2MoS4,加入10mL的DMF溶液中,磁力搅拌至完全溶解,将准备好的钛网加入溶液中,并加入0.1mL的水合联氨。将上述混合物置于超声清洗器中超声30min,而后,放入水热反应釜中,加热至200℃保温12h;待其自然冷却至室温后,取出水热反应釜中的钛网,使用乙醇和去离子水反复清洗,最后置于烘箱中60℃烘干24h,即可得以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料。

7.根据权利要求1至5任一项所述的一种以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料的制备方法,其特征在于,,按以下步骤制备:

将钛网剪成一定1cm×2cm的矩形,而后依次用浓盐酸、乙醇、去离子水超声清洗去除表面氧化层,烘干备用;

称取55mg的(NH4)2MoS4,加入10mL的DMF溶液中,磁力搅拌至完全溶解,将准备好的钛网加入溶液中,并加入0.1mL的水合联氨;将上述混合物置于超声清洗器中超声30min,而后放入水热反应釜中,加热至200℃保温6h;待其自然冷却至室温后,取出水热反应釜中的钛网,使用乙醇和去离子水反复清洗,最后置于烘箱中60℃烘干24h,即可得以钛网为基底的超薄二硫化钼晶体纳米复合材料。

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