[发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

辅助电极；

栅电极；和

设置在所述辅助电极和所述栅电极之间的有源层，

其中，所述有源层包括：

与所述栅电极重叠的沟道部分；

设置在所述沟道部分的一侧的第一连接部分；和

设置在所述沟道部分的另一侧的第二连接部分，

所述沟道部分包括与所述辅助电极重叠的第一部分和不与所述辅助电极重叠的第二部分。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助电极与所述栅电极的边缘重叠。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助电极包括不与所述栅电极重叠且与所述有源层重叠的部分。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助电极延伸到与所述栅电极重叠的区域的外部。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极设置在所述辅助电极的上方。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括分别与所述有源层连接的源电极和漏电极，

其中，施加给所述辅助电极的电压高于施加给所述源电极的电压。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助电极包括第一辅助电极和第二辅助电极，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极在与所述沟道部分重叠的区域中彼此间隔开。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极被施加相同的电压。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一辅助电极与所述沟道部分、所述沟道部分和所述第一连接部分之间的边界部分以及所述第一连接部分重叠。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第二辅助电极与所述沟道部分、所述沟道部分和所述第二连接部分之间的边界部分以及所述第二连接部分重叠。

11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极之间的间隔距离限定有效沟道长度。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道部分的不与所述辅助电极重叠的第二部分用作有效沟道。

13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述辅助电极与所述沟道部分之间的重叠距离是1.5μm或更大。

14.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一辅助电极与所述沟道部分之间的重叠距离以及所述第二辅助电极与所述沟道部分之间的重叠距离中的每一个是1.5μm或更大。

15.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极中的每一个具有1.5μm或更大的宽度。

16.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中，所述第一辅助电极和所述第二辅助电极之间的间隔距离是2μm或更大。

17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层包括氧化物半导体材料。

18.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层包括：

第一氧化物半导体层；及

在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层。

19.一种显示装置，包括显示元件和根据权利要求1至18中任一项所述的薄膜晶体管。

20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述薄膜晶体管是用于控制输出到所述显示元件的电流大小的驱动晶体管。