[发明专利]一种靶材组件中间层的清洗方法在审
| 申请号: | 202110783556.2 | 申请日: | 2021-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN113500045A | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
| 发明(设计)人: | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;侯宇 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号: | B08B3/12 | 分类号: | B08B3/12;B08B3/10;B08B3/08;B08B3/04;F26B5/00;F26B5/04;F26B21/14 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 王岩 |
| 地址: | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 组件 中间层 清洗 方法 | ||
本发明提供了一种靶材组件中间层的清洗方法,所述清洗方法包括以下步骤:将待清洗中间层依次采用有机溶剂和水进行超声波清洗;将处理后的中间层进行鼓泡酸洗;再将处理后的中间层再次进行超声波水洗,干燥后得到清洗后的靶材组件中间层。本发明所述方法根据中间层的材质及表面污渍,依次采用超声波清洗、鼓泡酸洗以及超声波水洗的操作,将中间层表面的杂质、脏污、油污以及氧化层等充分去除,清洗后中间层的纯度较高,保证其用于扩散焊接时焊接面的致密性及均匀性,提高靶材组件的焊接强度;所述方法操作简单,清洗成本较低,产生废液量较少,适用范围广。
技术领域
本发明属于靶材制备技术领域,涉及一种靶材组件中间层的清洗方法。
背景技术
随着半导体行业的快速发展,镀膜材料作为半导体电子器件制造的重要材料,其需求量也日益增加。靶材作为一种重要的镀膜材料,在集成电路、平面显示、太阳能、光学器件等领域具有广泛的应用,其主要制备方法为物理气相沉积法(PVD),其中最常用的为溅射镀膜法。
在溅射镀膜过程中靶材一般不是单独使用,而是以靶材组件的形式,靶材组件通常由靶材和背板构成,由于靶材组件所处的工作环境比较恶劣,需要靶材和背板的焊接强度较高,避免靶材组件在受热条件下变形、开裂等。目前,靶材和背板的焊接最常用的方法之一是扩散焊接,通常是在高温高压条件下进行热等静压焊接,但当靶材和背板材质差别较大时,两者之间的结合性较弱,此时就需要采用中间层进行辅助,利用中间层对靶材和背板的结合性相对较强的特点,得到高焊接强度的靶材组件。
为保证焊接过程的顺利进行,中间层需要提前进行清洗,以避免杂质、脏污等对焊接面的污染而造成焊接致密性不足,影响焊接强度,但目前的靶材组件焊接通常只涉及靶材及背板的清洗,而对靶材的清洗主要是溅射镀膜的质量,对于中间层的使用及清洗的研究较少。CN 108816929A公开了一种钽靶材生产过程中半成品钽螺纹的清洗方法,包括以下步骤:将钽螺纹超声波处理3-10min后,表面涂抹清洁剂,再经过刷洗、吹干、真空干燥即可。该清洗过程是在靶材组件制作过程中进行的,其目的在于提高靶材与背板焊接的结合率,并未涉及到中间层的使用及清洗,由于靶材和中间层的使用要求不同,其相应的清洗方法也会不同。
CN 109022792A公开了一种待处理靶材的处理方法,包括:提供待处理靶材;通过第一酸溶液对待处理靶材进行第一酸洗处理,形成初始靶材,所述第一酸溶液与待处理靶材发生第一化学反应,去除靶材表面部分材料;通过第二酸溶液对初始靶材进行第二酸洗处理,所述第二酸溶液与初始靶材发生第二化学反应,去除初始靶材表面部分材料,所述第二化学反应的速率小于第一化学反应的速率。该方法重点强调的是废旧靶材的酸洗处理,以提高靶材的回收利用率,且单一的酸洗处理,并不能达到直接用于焊接的要求。
综上所述,对于靶材组件中间层的清洗方式的选择,还需要根据中间层的材质及表面特性,选择合适的操作步骤,保证清洗效果,达到后续焊接使用的要求。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种靶材组件中间层的清洗方法,所述方法根据中间层的材质及表面污渍,依次采用超声波清洗、鼓泡酸洗以及超声波水洗的操作,将中间层表面的杂质、脏污、油污以及氧化层等充分去除,以保证其与靶材和背板扩散焊接时无杂质影响焊接面的致密性及均匀性,提高焊接强度。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
本发明提供了一种靶材组件中间层的清洗方法,所述清洗方法包括以下步骤:
(1)将待清洗中间层依次采用有机溶剂和水进行超声波清洗;
(2)将步骤(1)处理后的中间层进行鼓泡酸洗;
(3)将步骤(2)处理后的中间层再次进行超声波水洗,干燥后得到清洗后的靶材组件中间层。
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