[发明专利]一种用于离子迁移谱的多次切换脉冲电压波形有效
| 申请号: | 202110747914.4 | 申请日: | 2021-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN113345791B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
| 发明(设计)人: | 仓怀文;王卫国;李海洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号: | H01J49/06 | 分类号: | H01J49/06;H01J49/00 |
| 代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 张玉莹;李馨 |
| 地址: | 116000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 离子 迁移 多次 切换 脉冲 电压 波形 | ||
1.一种用于离子迁移谱的多次切换脉冲电压波形,所述的离子迁移谱的离子门为BN型离子门,所述BN型离子门包括依次间隔排列在一个平面上两组相互平行、绝缘的第一组金属电极和第二组金属电极,其特征在于:所述多次切换脉冲电压波形能分别施加在第一组金属电极和第二组金属电极上,周期性控制离子门的工作状态依次经过以下三个状态:
开门状态:在第一预设时间间隔内,即t1tt2,在所述第一组金属电极上施加第一高压,在所述第二组金属电极上也施加第一高压,离子门处于开启状态,离子团可以穿透离子门;
关门状态:在第二预设时间间隔内,即t2tt3,在所述第一组金属电极上施加第一高压,在所述第二组金属电极上施加第二高压,第二组金属电极上施加的电压高于第一组金属电极上施加电压,离子门处于关门状态;
多次切换状态:在第三预设时间间隔内,即t3tt4,在所述第一组金属电极上施加第二高压,在所述第二组金属电极上施加第一高压,离子门处于第一次切换状态,第一组金属电极和第二组金属电极上电压进行第一次切换;
在第四预设时间间隔内,即t4tt5,在所述第一组金属电极上施加第一高压,在所述第二组金属电极上施加第二高压,离子门处于第二次切换状态,第一组金属电极和第二组金属电极上电压进行第二次切换;
为了实现离子门更加精准的斩切离子团,修正离子团后沿浓度分布,所述离子门关门后离子门切换状态次数大于等于2次的偶数次;
所述第二高压和所述第一高压的高低为电压的绝对值的高低;
波形适用于离子迁移谱的正高压模式或负高压模式。
2.如权利要求1所述的多次切换脉冲电压波形,其特征在于:由开门状态至多次切换状态完成为离子迁移谱的一次开关周期,所述第一预设时间间隔为离子门开门时间,所述第二预设时间间隔以后的时间为离子门关门时间。
3.如权利要求1所述的多次切换脉冲电压波形,其特征在于:第一预设时间间隔为离子门开门时间,确保让离子顺利通过离子门,设置在1-500us之间;所述第二预设时间间隔和第三预设时间间隔的时间间隔,都为离子门切换延时时间,设置在1-100us之间;第四预设时间间隔,一直保持到下一次离子门开门,设置在1-50ms之间。
4.如权利要求1所述的多次切换脉冲电压波形,其特征在于:所述第一高压为离子门的所在位置的参考电压;以第一高压为参考,第二高压值与第一高压值之差在10v-600v。
5.一种采用如权利要求1至4任一项所述的多次切换脉冲电压波形控制的BN型离子门。
6.一种采用如权利要求5所述的BN型离子门的离子迁移谱。
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