[发明专利]半导体器件及其形成方法、半导体结构

说明书

提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括：第一栅极结构，设置在第一后侧介电部件上方；第二栅极结构，设置在第二后侧介电部件上方；栅极切割结构，从第一栅极结构和第二栅极结构之间连续地延伸至第一后侧介电部件和第二后侧介电部件之间；以及衬垫，位于栅极切割部件和第一后侧介电部件之间以及栅极切割部件和第二后侧介电部件之间。本发明的实施例还涉及半导体结构。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法、半导体结构。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业经历了指数增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比前一代更小和更复杂的电路。在IC演化的过程中，功能密度(即，每个芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。

随着集成电路(IC)技术朝着更小的技术节点发展，确保令人满意的掩模覆盖越来越困难。例如，一些栅极切割部件包括使用光刻和蚀刻工艺依次形成的顶部和底部。当掩模对准不够理想时，顶部可能不会接合在底部上。因此，虽然现有的栅极切割部件及其形成工艺对于它们的预期目的通常足够，但是它们并不是在所有方面都令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一栅极结构，设置在第一后侧介电部件上方；第二栅极结构，设置在第二后侧介电部件上方；栅极切割部件，从所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间连续地延伸至所述第一后侧介电部件和所述第二后侧介电部件之间；以及衬垫，设置在所述栅极切割部件和所述第一后侧介电部件之间以及所述栅极切割部件和所述第二后侧介电部件之间。

本发明的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：介电层；接触蚀刻停止层(CESL)，设置在所述介电层上方；隔离部件，设置在所述接触蚀刻停止层上方；以及栅极切割部件，延伸穿过所述隔离部件、所述接触蚀刻停止层和所述介电层，其中，所述栅极切割部件设置在第一栅极结构和第二栅极结构之间以及第三栅极结构和第四栅极结构之间。

本发明的又一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在工件的第一衬底部分上方形成第一多个沟道构件，并且在所述工件的第二衬底部分上方形成第二多个沟道构件，所述第一衬底部分和所述第二衬底部分通过隔离部件间隔开；形成联合栅极结构以包裹所述第一多个沟道构件中的每个和所述第二多个沟道构件中的每个；将所述工件翻转；在所述翻转之后，形成穿过所述隔离部件的引导开口；将所述引导开口延伸穿过所述联合栅极结构以形成栅极切割开口，所述栅极切割开口将所述联合栅极结构分成第一栅极结构和第二栅极结构；以及在所述延伸之后，在所述栅极切割开口中沉积介电材料以形成栅极切割部件。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据本发明的一个或多个方面的用于形成具有后侧接触件的半导体器件的方法的流程图。

图2A至图11A、图2B至图11B、图2C至图11C、图2D至图11D和图2E至图11E示出了根据本发明的一个或多个方面的在根据图1的方法的制造工艺期间的工件的局部截面图。

图12至图19示出了根据本发明的一个或多个方面的使用图1的方法制造的可选半导体结构或中间结构。

具体实施方式