[发明专利]存储器装置随机选项反转

说明书

本申请案涉及存储器装置随机选项反转。描述用于存储器装置随机选项反转的方法、系统及装置。存储器装置可使用第二组熔丝来选择性地反转与第一组熔丝(例如，熔断熔丝)相关联的选项。第一组熔丝可输出第一组逻辑状态。选项反转逻辑电路系统可基于由所述第二组熔丝输出的第二组逻辑状态来执行解码，以识别与所述第一组逻辑状态匹配的所述第二组逻辑状态中的逻辑状态。基于识别所述逻辑状态，所述选项反转逻辑电路系统可选择所述第一组逻辑状态中的逻辑状态或对应于所述逻辑状态的经反转逻辑状态，及将所述所选择逻辑状态存储在所述存储器装置的锁存器中。

交叉参考

本专利申请案主张对威亨(Werhane)等人在2020年8月21日申请的标题为“存储器装置随机选项反转(MEMORY DEVICE RANDOM OPTION INVERSION)”的第17/000,202号美国专利申请案的优先权，所述申请案转让给其受让人，并且其全部内容以引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及存储器装置随机选项反转。

背景技术

下文大体上涉及用于存储器的一或多个系统，且更具体来说，涉及存储器装置随机选项反转。

存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持的状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持两个以上状态，可存储其中的任一者。为存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为存储信息，组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫族化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)即使在不存在外部电源的情况下也可维持其存储的逻辑状态达延长时间段。易失性存储器装置(例如DRAM)可能在与外部电源断开连接时丢失其存储状态。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包含第一组熔丝，其经配置以输出与存储器装置的配置相关联的第一组逻辑状态；第一电路系统，其与所述第一组熔丝耦合并且经配置以在一组通路的多个相位上对所述第一组逻辑状态进行排序；第二组熔丝，其经配置以输出第二组逻辑状态；第二电路系统，其经配置以至少部分基于所述第二组逻辑状态对一或多个相位及一或多个通路进行解码；第三电路系统，其经配置以至少部分基于所述一或多个通路及所述一或多个相位针对所述一或多个通路的所述一或多个相位在相应逻辑状态与相应经反转逻辑状态之间进行选择；及一组锁存器，其经配置以至少部分基于所述选择来存储所述相应逻辑状态或所述相应经反转逻辑状态。

描述一种方法。所述方法可包含确定由第一组熔丝输出的第一组逻辑状态，所述第一组逻辑状态与存储器装置的配置相关联；在一组通路的多个相位上对所述第一组逻辑状态进行排序；确定由第二组熔丝输出的第二组逻辑状态；至少部分基于所述第二组逻辑状态对一或多个相位及一或多个通路进行解码；至少部分基于所述一或多个通路及所述一或多个相位针对所述一或多个通路的所述多个相位在相应逻辑状态与相应经反转逻辑状态之间进行选择；及至少部分基于所述选择来存储所述相应逻辑状态或所述相应经反转逻辑状态。