[发明专利]一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺

权利要求书

1.一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将膜料放置于磁控溅射镀膜机的真空室中，膜料与镀膜阴极表面间距为5～10cm，将真空室抽至真空，且各镀膜室压强不高于3.0E-3Pa，随后向各镀膜室充入氩气和氧气混合气；

步骤二：镀制表面光学膜层；

步骤三：镀制金属层；

步骤四：镀制金属保护层。

2.根据权利要求1所述的一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，其特征在于，所述的步骤一中镀制的表面光学膜层采用Nb₂O₅和SiO₂作为溅射靶材，首先镀制Nb₂O₅，膜层厚度为35～50nm，随后镀制SiO₂，膜层厚度为85～100nm。

3.根据权利要求1所述的一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，其特征在于，所述步骤三中镀制的金属层采用In作为溅射靶材，膜层厚度为25～40nm。

4.根据权利要求1所述的一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，其特征在于，所述步骤四中镀制的金属保护层镀膜采用TiO_x作为溅射靶材，膜层厚度为50～70nm。

5.根据权利要求1所述的一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，其特征在于，所述步骤二中镀制Nb₂O₅薄膜时，氩气与氧气体积比为6∶1～8∶1。

6.根据权利要求1所述的一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，其特征在于，所述步骤二中镀制SiO₂薄膜时，电源电压情况需控制在350～450V之间，氩气与氧气体积比为4∶1～2∶1，使SiO₂分子环境处于过氧态。

7.根据权利要求1所述的一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，其特征在于，所述步骤三中镀制In层薄膜时，采用DC电源，工作功率为5～8kW。

8.根据权利要求1所述的一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，其特征在于，所述步骤四种镀制TiO_x薄膜时，氩气与氧气体积比为6∶1～8∶1。

9.根据权利要求1～8所述的一种高亮银色多介质薄膜真空磁控溅射制备工艺，其特征在于，所述的真空磁控镀膜使用真空磁控溅射卷绕式镀膜机，具备4靶位以上镀膜腔室结构，且镀膜腔室都为独立腔室结构，镀制过程中各独立镀膜室真压强维持在5.0E-1PA～1.0E-1PA之间。